შასის მთის წინააღმდეგობები

TAP800K220E

TAP800K220E

ნაწილი საფონდო: 477

წინააღმდეგობა: 220 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP650J4R7E

TAP650J4R7E

ნაწილი საფონდო: 225

წინააღმდეგობა: 4.7 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP800K390E

TAP800K390E

ნაწილი საფონდო: 479

წინააღმდეგობა: 390 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP600KR50E

TAP600KR50E

ნაწილი საფონდო: 394

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
PFR5K17R0E

PFR5K17R0E

ნაწილი საფონდო: 404

წინააღმდეგობა: 17 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 740W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TA2K0PH7R50KE

TA2K0PH7R50KE

ნაწილი საფონდო: 322

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TAP800K15RE

TAP800K15RE

ნაწილი საფონდო: 486

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP600K5R0E

TAP600K5R0E

ნაწილი საფონდო: 544

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TA1K0PH500RKE

TA1K0PH500RKE

ნაწილი საფონდო: 389

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TAP650J50RE

TAP650J50RE

ნაწილი საფონდო: 77

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TA2K0PH15R0KE

TA2K0PH15R0KE

ნაწილი საფონდო: 290

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TAP800J100E

TAP800J100E

ნაწილი საფონდო: 512

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP800K300E

TAP800K300E

ნაწილი საფონდო: 565

წინააღმდეგობა: 300 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP800K5K0E

TAP800K5K0E

ნაწილი საფონდო: 573

წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP800K1R0E

TAP800K1R0E

ნაწილი საფონდო: 492

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
PFE5KR670

PFE5KR670

ნაწილი საფონდო: 386

წინააღმდეგობა: 670 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1126W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TA1K0PH1K00KE

TA1K0PH1K00KE

ნაწილი საფონდო: 435

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TA1K0PH30R0KE

TA1K0PH30R0KE

ნაწილი საფონდო: 483

წინააღმდეგობა: 30 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TA1K0PH5R00KE

TA1K0PH5R00KE

ნაწილი საფონდო: 450

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TA1K0PH15R0K

TA1K0PH15R0K

ნაწილი საფონდო: 467

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TAP800K10KE

TAP800K10KE

ნაწილი საფონდო: 517

წინააღმდეგობა: 10 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
SH3-250R0004DE

SH3-250R0004DE

ნაწილი საფონდო: 349

წინააღმდეგობა: 400 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Metal Clad, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 110°C,

სასურველი
PFE5K1R00E

PFE5K1R00E

ნაწილი საფონდო: 543

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1089W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TAP650J100E

TAP650J100E

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TA1K0PH15R0KE

TA1K0PH15R0KE

ნაწილი საფონდო: 454

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TAP600KR33E

TAP600KR33E

ნაწილი საფონდო: 445

წინააღმდეგობა: 330 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TA1K0PH4R00KE

TA1K0PH4R00KE

ნაწილი საფონდო: 399

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,

სასურველი
TAP800K1K0E

TAP800K1K0E

ნაწილი საფონდო: 522

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP800K680E

TAP800K680E

ნაწილი საფონდო: 483

წინააღმდეგობა: 680 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
PFE5K1R00

PFE5K1R00

ნაწილი საფონდო: 538

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1089W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TAP650J1R0E

TAP650J1R0E

ნაწილი საფონდო: 147

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TGHPV250RKE

TGHPV250RKE

ნაწილი საფონდო: 130

წინააღმდეგობა: 250 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
TAP600J500E

TAP600J500E

ნაწილი საფონდო: 503

წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
MOX-H-025004FE

MOX-H-025004FE

ნაწილი საფონდო: 549

წინააღმდეგობა: 5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
TAP600K1R0E

TAP600K1R0E

ნაწილი საფონდო: 553

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP600K2R0E

TAP600K2R0E

ნაწილი საფონდო: 592

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი