წინააღმდეგობა: 2.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 4.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 726W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
წინააღმდეგობა: 36 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 300 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 975W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 11 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 757W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
წინააღმდეგობა: 140 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1100W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 17 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 740W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
წინააღმდეგობა: 600 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1109W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
წინააღმდეგობა: 5 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 2.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 5.4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 752W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 7.5 kOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 650W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 13 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 750W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
წინააღმდეგობა: 500 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,
წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 2000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 85°C,
წინააღმდეგობა: 500 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 20W, კომპოზიცია: Metal Clad, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 30ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 110°C,
წინააღმდეგობა: 250 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 800W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,
წინააღმდეგობა: 160 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 973W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±300ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,
