შასის მთის წინააღმდეგობები

805F4R0E

805F4R0E

ნაწილი საფონდო: 14810

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
805F3R0E

805F3R0E

ნაწილი საფონდო: 14821

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
805F1R5E

805F1R5E

ნაწილი საფონდო: 14769

წინააღმდეგობა: 1.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
805F20RE

805F20RE

ნაწილი საფონდო: 14789

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 5W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±20ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 275°C,

სასურველი
ARF600 20R J

ARF600 20R J

ნაწილი საფონდო: 1321

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF500 68R J

ARF500 68R J

ნაწილი საფონდო: 1297

წინააღმდეგობა: 68 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF500 12R J

ARF500 12R J

ნაწილი საფონდო: 1352

წინააღმდეგობა: 12 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF500 16R J

ARF500 16R J

ნაწილი საფონდო: 1293

წინააღმდეგობა: 16 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF400 75R J

ARF400 75R J

ნაწილი საფონდო: 1440

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF400 8R J

ARF400 8R J

ნაწილი საფონდო: 1485

წინააღმდეგობა: 8 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF400 10R J

ARF400 10R J

ნაწილი საფონდო: 1513

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF400 47R J

ARF400 47R J

ნაწილი საფონდო: 1451

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 400W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF300 25R J

ARF300 25R J

ნაწილი საფონდო: 1685

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF300 6R J

ARF300 6R J

ნაწილი საფონდო: 1683

წინააღმდეგობა: 6 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 300W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF200 5R J

ARF200 5R J

ნაწილი საფონდო: 1796

წინააღმდეგობა: 5 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF200 4R J

ARF200 4R J

ნაწილი საფონდო: 1796

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
ARF150 3R J

ARF150 3R J

ნაწილი საფონდო: 1879

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 150W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: 0°C ~ 200°C,

სასურველი
BAB32666R00KE

BAB32666R00KE

ნაწილი საფონდო: 685

წინააღმდეგობა: 6 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB326615R0KE

BAB326615R0KE

ნაწილი საფონდო: 768

წინააღმდეგობა: 15 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB326622R0KE

BAB326622R0KE

ნაწილი საფონდო: 762

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB326650R0KE

BAB326650R0KE

ნაწილი საფონდო: 723

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB326610R0KE

BAB326610R0KE

ნაწილი საფონდო: 745

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB232010R0KE

BAB232010R0KE

ნაწილი საფონდო: 928

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB232050R0KE

BAB232050R0KE

ნაწილი საფონდო: 921

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB232025R0KE

BAB232025R0KE

ნაწილი საფონდო: 983

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB1160R500KE

BAB1160R500KE

ნაწილი საფონდო: 1135

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB11601R00KE

BAB11601R00KE

ნაწილი საფონდო: 1303

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB116025R0KE

BAB116025R0KE

ნაწილი საფონდო: 1347

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB116010R0KE

BAB116010R0KE

ნაწილი საფონდო: 1379

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BAB11602R00KE

BAB11602R00KE

ნაწილი საფონდო: 1319

წინააღმდეგობა: 2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound,

სასურველი
BB232025R0KE

BB232025R0KE

ნაწილი საფონდო: 1279

წინააღმდეგობა: 25 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 385°C,

სასურველი
BB116010R0KE

BB116010R0KE

ნაწილი საფონდო: 1665

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 385°C,

სასურველი
BA326622R0KE

BA326622R0KE

ნაწილი საფონდო: 897

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1000W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 385°C,

სასურველი
BA232050R0KE

BA232050R0KE

ნაწილი საფონდო: 1297

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 700W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 385°C,

სასურველი
BA11601R00KE

BA11601R00KE

ნაწილი საფონდო: 1649

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 385°C,

სასურველი
BA116020R0KE

BA116020R0KE

ნაწილი საფონდო: 1670

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 500W, კომპოზიცია: Wirewound, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 385°C,

სასურველი