შასის მთის წინააღმდეგობები

EVFL252EP1K0JE

EVFL252EP1K0JE

ნაწილი საფონდო: 1274

წინააღმდეგობა: 1 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 280W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
MOX-F-021003FE

MOX-F-021003FE

ნაწილი საფონდო: 815

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
PFE5K1R30E

PFE5K1R30E

ნაწილი საფონდო: 626

წინააღმდეგობა: 1.3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1093W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
MOX-G-021005FE

MOX-G-021005FE

ნაწილი საფონდო: 692

წინააღმდეგობა: 10 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
MOX-H-025003FE

MOX-H-025003FE

ნაწილი საფონდო: 628

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
PFE5K2R20

PFE5K2R20

ნაწილი საფონდო: 651

წინააღმდეგობა: 2.2 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 745W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TAP600K75RE

TAP600K75RE

ნაწილი საფონდო: 568

წინააღმდეგობა: 75 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TGHPV10R0KE

TGHPV10R0KE

ნაწილი საფონდო: 199

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
TAP600K22RE

TAP600K22RE

ნაწილი საფონდო: 569

წინააღმდეგობა: 22 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TGHPV50R0KE

TGHPV50R0KE

ნაწილი საფონდო: 192

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
TGHPV150RKE

TGHPV150RKE

ნაწილი საფონდო: 177

წინააღმდეგობა: 150 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
TAP600K4R0E

TAP600K4R0E

ნაწილი საფონდო: 577

წინააღმდეგობა: 4 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
PFE5K3R50

PFE5K3R50

ნაწილი საფონდო: 687

წინააღმდეგობა: 3.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 746W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
EVFT252EP10RJE

EVFT252EP10RJE

ნაწილი საფონდო: 1246

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 280W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±400ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
MOX-F-022503FE

MOX-F-022503FE

ნაწილი საფონდო: 864

წინააღმდეგობა: 250 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
MOX-F-025003FE

MOX-F-025003FE

ნაწილი საფონდო: 864

წინააღმდეგობა: 500 kOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
MOX-F-021004FE

MOX-F-021004FE

ნაწილი საფონდო: 812

წინააღმდეგობა: 1 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 25W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
PFE5K1R60

PFE5K1R60

ნაწილი საფონდო: 624

წინააღმდეგობა: 1.6 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 1082W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±500ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TAP600K20RE

TAP600K20RE

ნაწილი საფონდო: 538

წინააღმდეგობა: 20 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TGHLV1R00JE

TGHLV1R00JE

ნაწილი საფონდო: 1290

წინააღმდეგობა: 1 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
TGHPV100RKE

TGHPV100RKE

ნაწილი საფონდო: 178

წინააღმდეგობა: 100 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
EVFT170EN100KJE

EVFT170EN100KJE

ნაწილი საფონდო: 1112

წინააღმდეგობა: 100 kOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 160W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
MOX-G-022505FE

MOX-G-022505FE

ნაწილი საფონდო: 737

წინააღმდეგობა: 25 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
TAP600J10RE

TAP600J10RE

ნაწილი საფონდო: 552

წინააღმდეგობა: 10 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
EVFL252EP47RJE

EVFL252EP47RJE

ნაწილი საფონდო: 1080

წინააღმდეგობა: 47 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 280W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
MOX-H-025005FE

MOX-H-025005FE

ნაწილი საფონდო: 554

წინააღმდეგობა: 50 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 50W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
TGHLVR100JE

TGHLVR100JE

ნაწილი საფონდო: 1307

წინააღმდეგობა: 100 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
MOX-G-022504FE

MOX-G-022504FE

ნაწილი საფონდო: 707

წინააღმდეგობა: 2.5 MOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 40W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: 50ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -65°C ~ 180°C,

სასურველი
EVFT252EP470JE

EVFT252EP470JE

ნაწილი საფონდო: 1249

წინააღმდეგობა: 470 Ohms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 280W, კომპოზიცია: Wirewound, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±260ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 350°C,

სასურველი
TGHPV750RKE

TGHPV750RKE

ნაწილი საფონდო: 180

წინააღმდეგობა: 750 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
TAP600K7R5E

TAP600K7R5E

ნაწილი საფონდო: 540

წინააღმდეგობა: 7.5 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
SHL1-1K0C075DE

SHL1-1K0C075DE

ნაწილი საფონდო: 682

წინააღმდეგობა: 75 µOhms, ტოლერანტობა: ±0.5%, სიმძლავრე (ვატი): 75W, კომპოზიცია: Metal Element, ოპერაციული ტემპერატურა: -25°C ~ 85°C,

სასურველი
TGHPV27R0KE

TGHPV27R0KE

ნაწილი საფონდო: 178

წინააღმდეგობა: 27 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი
TAP600K50RE

TAP600K50RE

ნაწილი საფონდო: 565

წინააღმდეგობა: 50 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TAP600K3R0E

TAP600K3R0E

ნაწილი საფონდო: 519

წინააღმდეგობა: 3 Ohms, ტოლერანტობა: ±10%, სიმძლავრე (ვატი): 600W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±150ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 150°C,

სასურველი
TGHLVR500JE

TGHLVR500JE

ნაწილი საფონდო: 1277

წინააღმდეგობა: 500 mOhms, ტოლერანტობა: ±5%, სიმძლავრე (ვატი): 200W, კომპოზიცია: Thick Film, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±250ppm/°C, ოპერაციული ტემპერატურა: -55°C ~ 155°C,

სასურველი