ჩიპის რეზისტორი - ზედაპირის მთა

LVT12R0030GER

LVT12R0030GER

ნაწილი საფონდო: 16537

წინააღმდეგობა: 3 mOhms, ტოლერანტობა: ±2%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±100ppm/°C,

სასურველი
LVT08R0150FER

LVT08R0150FER

ნაწილი საფონდო: 16567

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVT08R0100FER

LVT08R0100FER

ნაწილი საფონდო: 16502

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
LVT08R0050FER

LVT08R0050FER

ნაწილი საფონდო: 16503

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
LVT08R0200FER

LVT08R0200FER

ნაწილი საფონდო: 16567

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 0.5W, 1/2W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVT12R0050FER

LVT12R0050FER

ნაწილი საფონდო: 16510

წინააღმდეგობა: 5 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
LVT12R0150FER

LVT12R0150FER

ნაწილი საფონდო: 16533

წინააღმდეგობა: 15 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი
LVT12R0100FER

LVT12R0100FER

ნაწილი საფონდო: 21543

წინააღმდეგობა: 10 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±75ppm/°C,

სასურველი
LVT12R0200FER

LVT12R0200FER

ნაწილი საფონდო: 128

წინააღმდეგობა: 20 mOhms, ტოლერანტობა: ±1%, სიმძლავრე (ვატი): 1W, კომპოზიცია: Metal Element, მახასიათებლები: Current Sense, ტემპერატურის კოეფიციენტი: ±50ppm/°C,

სასურველი