ფიქსირებული ინდუქტორები

LQW18AN51NG8ZD

LQW18AN51NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 165610

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 51nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 830mA,

სასურველი
LQH2MPN1R0NGRL

LQH2MPN1R0NGRL

ნაწილი საფონდო: 130542

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 900mA, მიმდინარე - სატურაცია: 1.55A,

სასურველი
LQM21PZ1R0MC0D

LQM21PZ1R0MC0D

ნაწილი საფონდო: 95

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
LQW2UASR68G00L

LQW2UASR68G00L

ნაწილი საფონდო: 121865

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 680nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LQH2MPNR47NGRL

LQH2MPNR47NGRL

ნაწილი საფონდო: 105338

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.06A, მიმდინარე - სატურაცია: 1.95A,

სასურველი
LQW18AN16NG8ZD

LQW18AN16NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 130100

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 16nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQW18AN8N2G8ZD

LQW18AN8N2G8ZD

ნაწილი საფონდო: 172919

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQW18AN4N7B8ZD

LQW18AN4N7B8ZD

ნაწილი საფონდო: 148012

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW2UAS1R0G00L

LQW2UAS1R0G00L

ნაწილი საფონდო: 133554

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 370mA,

სასურველი
LQW2BASR15G00L

LQW2BASR15G00L

ნაწილი საფონდო: 169776

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LQW18AN10NG8ZD

LQW18AN10NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 196146

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 10nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQW2UASR47G00L

LQW2UASR47G00L

ნაწილი საფონდო: 123089

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 470mA,

სასურველი
LQW2BAS7N5J00L

LQW2BAS7N5J00L

ნაწილი საფონდო: 129234

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 7.5nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
LQM21PN2R2MCHD

LQM21PN2R2MCHD

ნაწილი საფონდო: 132357

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.05A, მიმდინარე - სატურაცია: 200mA,

სასურველი
LQW18AN7N2G8ZD

LQW18AN7N2G8ZD

ნაწილი საფონდო: 129251

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.2nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A,

სასურველი
LQW18AN19NG8ZD

LQW18AN19NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 184465

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 19nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.4A,

სასურველი
LQW18AN6N8G8ZD

LQW18AN6N8G8ZD

ნაწილი საფონდო: 175838

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.8nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A,

სასურველი
LQW18AN78NG8ZD

LQW18AN78NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 101092

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 78nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 590mA,

სასურველი
LQW2BAS91NG00L

LQW2BAS91NG00L

ნაწილი საფონდო: 134450

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 91nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LQW2UASR82G00L

LQW2UASR82G00L

ნაწილი საფონდო: 192226

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 820nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LQW2BAS39NJ00L

LQW2BAS39NJ00L

ნაწილი საფონდო: 172806

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 39nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LQM21PN1R0MEHD

LQM21PN1R0MEHD

ნაწილი საფონდო: 199363

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
LQW2BASR24J00L

LQW2BASR24J00L

ნაწილი საფონდო: 103033

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LQW2UAS68NG00L

LQW2UAS68NG00L

ნაწილი საფონდო: 177845

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 68nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LQW2UASR56G00L

LQW2UASR56G00L

ნაწილი საფონდო: 108029

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LQW2BAS18NJ00L

LQW2BAS18NJ00L

ნაწილი საფონდო: 140668

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
LQW2BAS56NG00L

LQW2BAS56NG00L

ნაწილი საფონდო: 178861

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LQH2MPN470MGRL

LQH2MPN470MGRL

ნაწილი საფონდო: 178657

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 47µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 180mA, მიმდინარე - სატურაცია: 270mA,

სასურველი
LQW2UASR91G00L

LQW2UASR91G00L

ნაწილი საფონდო: 135791

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 910nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 380mA,

სასურველი
LQW2UASR12G00L

LQW2UASR12G00L

ნაწილი საფონდო: 193254

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 120nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
LQW2BASR56J00L

LQW2BASR56J00L

ნაწილი საფონდო: 175453

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 560nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 230mA,

სასურველი
LQW2BAS43NG00L

LQW2BAS43NG00L

ნაწილი საფონდო: 119726

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 43nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LQW2UAS82NG00L

LQW2UAS82NG00L

ნაწილი საფონდო: 176244

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LQW18AN56NG8ZD

LQW18AN56NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 118626

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 770mA,

სასურველი
LQW18AN72NG8ZD

LQW18AN72NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 194922

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 72nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 560mA,

სასურველი
LQW2BASR15J00L

LQW2BASR15J00L

ნაწილი საფონდო: 105656

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი