ფიქსირებული ინდუქტორები

LQH32DN2R2M23L

LQH32DN2R2M23L

ნაწილი საფონდო: 103232

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
LQH32CN100K23L

LQH32CN100K23L

ნაწილი საფონდო: 107632

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LQP18MN12NG02D

LQP18MN12NG02D

ნაწილი საფონდო: 198675

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 12nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LQH32DN4R7M53L

LQH32DN4R7M53L

ნაწილი საფონდო: 178765

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA, მიმდინარე - სატურაცია: 650mA,

სასურველი
LQH32MN390J23L

LQH32MN390J23L

ნაწილი საფონდო: 106056

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 39µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 110mA,

სასურველი
LQH32DN1R0M23L

LQH32DN1R0M23L

ნაწილი საფონდო: 112154

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 800mA,

სასურველი
LQM18PN1R0NC0L

LQM18PN1R0NC0L

ნაწილი საფონდო: 169015

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 750mA,

სასურველი
LQH32DN3R3M23L

LQH32DN3R3M23L

ნაწილი საფონდო: 185419

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 530mA,

სასურველი
LQH32CN2R2M33L

LQH32CN2R2M33L

ნაწილი საფონდო: 119046

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 790mA,

სასურველი
LQM2HPN2R2MG0L

LQM2HPN2R2MG0L

ნაწილი საფონდო: 127282

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 2.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.3A,

სასურველი
LQM2HPN3R3MG0L

LQM2HPN3R3MG0L

ნაწილი საფონდო: 132017

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
LQM2HPN1R0MG0L

LQM2HPN1R0MG0L

ნაწილი საფონდო: 109105

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQH32MN561K23L

LQH32MN561K23L

ნაწილი საფონდო: 116587

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 560µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 40mA,

სასურველი
LQP18MN2N7C02D

LQP18MN2N7C02D

ნაწილი საფონდო: 136822

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 2.7nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LQM18PN1R5NB0L

LQM18PN1R5NB0L

ნაწილი საფონდო: 160025

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 600mA,

სასურველი
LQH32MN680K23L

LQH32MN680K23L

ნაწილი საფონდო: 112789

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LQH32DN100K53L

LQH32DN100K53L

ნაწილი საფონდო: 197611

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA, მიმდინარე - სატურაცია: 450mA,

სასურველი
LQH32MN471J23L

LQH32MN471J23L

ნაწილი საფონდო: 135230

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 45mA,

სასურველი
LQP18MN27NG02D

LQP18MN27NG02D

ნაწილი საფონდო: 116748

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 27nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LQH32DN1R0M53L

LQH32DN1R0M53L

ნაწილი საფონდო: 127722

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A, მიმდინარე - სატურაცია: 1A,

სასურველი
LQH32MN151K23L

LQH32MN151K23L

ნაწილი საფონდო: 171756

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LQH32MN181J23L

LQH32MN181J23L

ნაწილი საფონდო: 155310

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 180µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
LQM21PN1R5MCHD

LQM21PN1R5MCHD

ნაწილი საფონდო: 160661

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A, მიმდინარე - სატურაცია: 400mA,

სასურველი
LQW2BASR24G00L

LQW2BASR24G00L

ნაწილი საფონდო: 192089

ტიპი: Wirewound, ინდუქცია: 240nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 350mA,

სასურველი
LQW18AN83NG8ZD

LQW18AN83NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 191094

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 83nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 550mA,

სასურველი
LQW18AN8N4C8ZD

LQW18AN8N4C8ZD

ნაწილი საფონდო: 165764

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.4nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQW18AN28NG8ZD

LQW18AN28NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 195576

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 28nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.2A,

სასურველი
LQW2BASR39J00L

LQW2BASR39J00L

ნაწილი საფონდო: 124439

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 390nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LQH2MPN100MGRL

LQH2MPN100MGRL

ნაწილი საფონდო: 165859

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 480mA, მიმდინარე - სატურაცია: 610mA,

სასურველი
LQW15AN7N3H00D

LQW15AN7N3H00D

ნაწილი საფონდო: 151011

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 7.3nH, ტოლერანტობა: ±3%, მიმდინარე რეიტინგი: 570mA,

სასურველი
LQW2BAS56NJ00L

LQW2BAS56NJ00L

ნაწილი საფონდო: 167608

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Air, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 500mA,

სასურველი
LQW18AN9N9G8ZD

LQW18AN9N9G8ZD

ნაწილი საფონდო: 143638

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 9.9nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.6A,

სასურველი
LQW18AN4N7G8ZD

LQW18AN4N7G8ZD

ნაწილი საფონდო: 142703

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.7nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.5A,

სასურველი
LQW18AN6N5C8ZD

LQW18AN6N5C8ZD

ნაწილი საფონდო: 154192

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 6.5nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 1.9A,

სასურველი
LQW18AN4N2B8ZD

LQW18AN4N2B8ZD

ნაწილი საფონდო: 176067

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 4.2nH, ტოლერანტობა: ±0.1nH, მიმდინარე რეიტინგი: 2.2A,

სასურველი
LQW18AN30NG8ZD

LQW18AN30NG8ZD

ნაწილი საფონდო: 165501

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 30nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.1A,

სასურველი