ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA, მიმდინარე - სატურაცია: 710mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 425mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,
ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA, მიმდინარე - სატურაცია: 540mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,
ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,
ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,