ფიქსირებული ინდუქტორები

LQM18PN1R8NC0L

LQM18PN1R8NC0L

ნაწილი საფონდო: 188811

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.8µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 700mA,

სასურველი
LQH32CNR15M33L

LQH32CNR15M33L

ნაწილი საფონდო: 101131

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.45A,

სასურველი
LQH32MN1R5K23L

LQH32MN1R5K23L

ნაწილი საფონდო: 128973

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 400mA,

სასურველი
LQH32DN3R3M53L

LQH32DN3R3M53L

ნაწილი საფონდო: 119244

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.3µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 710mA, მიმდინარე - სატურაცია: 710mA,

სასურველი
LQH32MN3R9K23L

LQH32MN3R9K23L

ნაწილი საფონდო: 198781

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 3.9µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 290mA,

სასურველი
LQP18MN82NG02D

LQP18MN82NG02D

ნაწილი საფონდო: 181719

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 82nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LQH32CN100K33L

LQH32CN100K33L

ნაწილი საფონდო: 116052

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
LQH32DN4R7M23L

LQH32DN4R7M23L

ნაწილი საფონდო: 142355

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 450mA,

სასურველი
LQH32DN100K23L

LQH32DN100K23L

ნაწილი საფონდო: 153128

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 300mA,

სასურველი
LQH32MN271K23L

LQH32MN271K23L

ნაწილი საფონდო: 157151

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
LQH32MN1R2M23L

LQH32MN1R2M23L

ნაწილი საფონდო: 142136

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.2µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 425mA,

სასურველი
LQP18MN5N6C02D

LQP18MN5N6C02D

ნაწილი საფონდო: 115970

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 5.6nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
LQP18MN3N9C02D

LQP18MN3N9C02D

ნაწილი საფონდო: 130907

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.9nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 200mA,

სასურველი
LQM18PN1R5NC0L

LQM18PN1R5NC0L

ნაწილი საფონდო: 165644

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1.5µH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 720mA,

სასურველი
LQH32MN100J23L

LQH32MN100J23L

ნაწილი საფონდო: 106644

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 10µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 190mA,

სასურველი
LQM18PNR47NC0L

LQM18PNR47NC0L

ნაწილი საფონდო: 102107

ტიპი: Multilayer, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 470nH, ტოლერანტობა: ±30%, მიმდინარე რეიტინგი: 850mA,

სასურველი
LQP18MN56NG02D

LQP18MN56NG02D

ნაწილი საფონდო: 196723

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 56nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 50mA,

სასურველი
LQH32MN151J23L

LQH32MN151J23L

ნაწილი საფონდო: 163954

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LQH32CN101K23L

LQH32CN101K23L

ნაწილი საფონდო: 144931

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 100µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LQH32MN150K23L

LQH32MN150K23L

ნაწილი საფონდო: 178938

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 15µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 170mA,

სასურველი
LQH32DN6R8M53L

LQH32DN6R8M53L

ნაწილი საფონდო: 158850

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 6.8µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 540mA, მიმდინარე - სატურაცია: 540mA,

სასურველი
LQP18MN1N8C02D

LQP18MN1N8C02D

ნაწილი საფონდო: 176649

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 1.8nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LQH32MN331K23L

LQH32MN331K23L

ნაწილი საფონდო: 156037

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 330µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
LQH32MN121K23L

LQH32MN121K23L

ნაწილი საფონდო: 146626

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 120µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 75mA,

სასურველი
LQP18MN3N3C02D

LQP18MN3N3C02D

ნაწილი საფონდო: 127558

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 3.3nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LQH32DN151K23L

LQH32DN151K23L

ნაწილი საფონდო: 133642

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 150µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LQH32MN271J23L

LQH32MN271J23L

ნაწილი საფონდო: 103500

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 65mA,

სასურველი
LQH32DN220K23L

LQH32DN220K23L

ნაწილი საფონდო: 111044

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 22µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 250mA,

სასურველი
LQH32MN680J23L

LQH32MN680J23L

ნაწილი საფონდო: 153480

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 68µH, ტოლერანტობა: ±5%, მიმდინარე რეიტინგი: 80mA,

სასურველი
LQP18MN47NG02D

LQP18MN47NG02D

ნაწილი საფონდო: 114498

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 47nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი
LQH32CN4R7M33L

LQH32CN4R7M33L

ნაწილი საფონდო: 196874

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 4.7µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 650mA,

სასურველი
LQH32DN221K23L

LQH32DN221K23L

ნაწილი საფონდო: 146632

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 220µH, ტოლერანტობა: ±10%, მიმდინარე რეიტინგი: 70mA,

სასურველი
LQH32CNR27M33L

LQH32CNR27M33L

ნაწილი საფონდო: 120171

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 270nH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1.25A,

სასურველი
LQP18MN8N2C02D

LQP18MN8N2C02D

ნაწილი საფონდო: 157645

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 8.2nH, ტოლერანტობა: ±0.2nH, მიმდინარე რეიტინგი: 150mA,

სასურველი
LQH32CN1R0M33L

LQH32CN1R0M33L

ნაწილი საფონდო: 186035

ტიპი: Wirewound, მასალა - ძირითადი: Ferrite, ინდუქცია: 1µH, ტოლერანტობა: ±20%, მიმდინარე რეიტინგი: 1A,

სასურველი
LQP18MN18NG02D

LQP18MN18NG02D

ნაწილი საფონდო: 195364

ტიპი: Thick Film, მასალა - ძირითადი: Non-Magnetic, ინდუქცია: 18nH, ტოლერანტობა: ±2%, მიმდინარე რეიტინგი: 100mA,

სასურველი