Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - ხიდის გამსწორებლები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - ხიდის გამსწორებლები
APT75DL120HJ
Microsemi Corporation

APT75DL120HJ

ნაწილი საფონდო: 3436

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 75A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 1200V,

სასურველი
APTDF100H20G
Microsemi Corporation

APTDF100H20G

ნაწილი საფონდო: 1745

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 145A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 100A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 200V,

სასურველი
APTDF60H601G
Microsemi Corporation

APTDF60H601G

ნაწილი საფონდო: 2946

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 92A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 25µA @ 600V,

სასურველი
APT30DF60HJ
Microsemi Corporation

APT30DF60HJ

ნაწილი საფონდო: 4765

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 30A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 600V,

სასურველი
APT30DF20HJ
Microsemi Corporation

APT30DF20HJ

ნაწილი საფონდო: 6108

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 45A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 30A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 200V,

სასურველი
APTDF200H100G
Microsemi Corporation

APTDF200H100G

ნაწილი საფონდო: 1141

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 255A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 200A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1000V,

სასურველი
APT75DF170HJ
Microsemi Corporation

APT75DF170HJ

ნაწილი საფონდო: 2789

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.7kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 75A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 1700V,

სასურველი
APTDF100H100G
Microsemi Corporation

APTDF100H100G

ნაწილი საფონდო: 1774

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 130A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 100A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1000V,

სასურველი
APT100DL60HJ
Microsemi Corporation

APT100DL60HJ

ნაწილი საფონდო: 4271

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 100A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 600V,

სასურველი
APTDF60H1201G
Microsemi Corporation

APTDF60H1201G

ნაწილი საფონდო: 2732

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 82A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3V @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1200V,

სასურველი
APT60DF60HJ
Microsemi Corporation

APT60DF60HJ

ნაწილი საფონდო: 3669

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 90A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.3V @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 25µA @ 600V,

სასურველი
APTDF30H601G
Microsemi Corporation

APTDF30H601G

ნაწილი საფონდო: 3265

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 42A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.2V @ 30A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 600V,

სასურველი
APTDF200H170G
Microsemi Corporation

APTDF200H170G

ნაწილი საფონდო: 851

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.7kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 240A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3V @ 200A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 350µA @ 1700V,

სასურველი
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation

APTDF30H1201G

ნაწილი საფონდო: 3161

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 43A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.1V @ 30A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1200V,

სასურველი
APTDR40X1601G
Microsemi Corporation

APTDR40X1601G

ნაწილი საფონდო: 2893

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20µA @ 1600V,

სასურველი
APTDF200H60G
Microsemi Corporation

APTDF200H60G

ნაწილი საფონდო: 968

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 270A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 200A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 350µA @ 600V,

სასურველი
APT40DR160HJ
Microsemi Corporation

APT40DR160HJ

ნაწილი საფონდო: 3690

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20µA @ 1600V,

სასურველი
APTDC40H601G
Microsemi Corporation

APTDC40H601G

ნაწილი საფონდო: 840

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 800µA @ 600V,

სასურველი
APT40DC60HJ
Microsemi Corporation

APT40DC60HJ

ნაწილი საფონდო: 933

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 800µA @ 600V,

სასურველი
APTDC20H1201G
Microsemi Corporation

APTDC20H1201G

ნაწილი საფონდო: 862

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 400µA @ 1200V,

სასურველი
APTDC20H601G
Microsemi Corporation

APTDC20H601G

ნაწილი საფონდო: 8742

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 400µA @ 600V,

სასურველი
APTDC10H601G
Microsemi Corporation

APTDC10H601G

ნაწილი საფონდო: 8792

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200µA @ 600V,

სასურველი
APT40DC120HJ
Microsemi Corporation

APT40DC120HJ

ნაწილი საფონდო: 386

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 800µA @ 1200V,

სასურველი
APT20DC120HJ
Microsemi Corporation

APT20DC120HJ

ნაწილი საფონდო: 918

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 400µA @ 1200V,

სასურველი
APT60DF20HJ
Microsemi Corporation

APT60DF20HJ

ნაწილი საფონდო: 4759

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 90A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.15V @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 200V,

სასურველი
APT06DC60HJ
Microsemi Corporation

APT06DC60HJ

ნაწილი საფონდო: 8736

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200µA @ 600V,

სასურველი
APT60DS20HJ
Microsemi Corporation

APT60DS20HJ

ნაწილი საფონდო: 8775

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 90A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1mA @ 200V,

სასურველი
APT75DL60HJ
Microsemi Corporation

APT75DL60HJ

ნაწილი საფონდო: 8758

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2V @ 75A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 600V,

სასურველი
APT60DS04HJ
Microsemi Corporation

APT60DS04HJ

ნაწილი საფონდო: 8748

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 30mA @ 45V,

სასურველი
APT60DS10HJ
Microsemi Corporation

APT60DS10HJ

ნაწილი საფონდო: 8788

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 910mV @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2mA @ 100V,

სასურველი
APT60DF100HJ
Microsemi Corporation

APT60DF100HJ

ნაწილი საფონდო: 8782

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 90A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.8V @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1000V,

სასურველი
APT60DF120HJ
Microsemi Corporation

APT60DF120HJ

ნაწილი საფონდო: 8700

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 90A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3V @ 60A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1200V,

სასურველი
APT40DS10HJ
Microsemi Corporation

APT40DS10HJ

ნაწილი საფონდო: 8706

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 1mA @ 100V,

სასურველი
APT50DL120HJ
Microsemi Corporation

APT50DL120HJ

ნაწილი საფონდო: 8760

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 50A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 1200V,

სასურველი
APT40DS04HJ
Microsemi Corporation

APT40DS04HJ

ნაწილი საფონდო: 8718

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 40A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 20mA @ 45V,

სასურველი
APT35DL120HJ
Microsemi Corporation

APT35DL120HJ

ნაწილი საფონდო: 8751

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.1V @ 35A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 250µA @ 1200V,

სასურველი