Menu
საქართველოსაქართველო
0Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი
APT15DQ60BG
Microsemi Corporation

APT15DQ60BG

ნაწილი საფონდო: 29429

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 19ns,

სასურველი
APT10SCD120K
Microsemi Corporation

APT10SCD120K

ნაწილი საფონდო: 6853

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
APT15DQ60KG
Microsemi Corporation

APT15DQ60KG

ნაწილი საფონდო: 44440

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 19ns,

სასურველი
APT15DQ120KG
Microsemi Corporation

APT15DQ120KG

ნაწილი საფონდო: 35058

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3.3V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 240ns,

სასურველი
APT75DQ60BG
Microsemi Corporation

APT75DQ60BG

ნაწილი საფონდო: 15462

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.5V @ 75A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 31ns,

სასურველი
APT20SCD65K
Microsemi Corporation

APT20SCD65K

ნაწილი საფონდო: 9366

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 32A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
APT10SCD65K
Microsemi Corporation

APT10SCD65K

ნაწილი საფონდო: 12409

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 17A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
APT60D60BG
Microsemi Corporation

APT60D60BG

ნაწილი საფონდო: 11579

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 130ns,

სასურველი
APT10SCD120B
Microsemi Corporation

APT10SCD120B

ნაწილი საფონდო: 6623

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 36A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 10A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
APT20SCD120B
Microsemi Corporation

APT20SCD120B

ნაწილი საფონდო: 4642

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 68A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
APT30SCD120B
Microsemi Corporation

APT30SCD120B

ნაწილი საფონდო: 3455

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 99A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 30A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
APT20SCD120S
Microsemi Corporation

APT20SCD120S

ნაწილი საფონდო: 4145

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 68A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 20A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სასურველი
APT30S20BG
Microsemi Corporation

APT30S20BG

ნაწილი საფონდო: 18686

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 45A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 55ns,

სასურველი
APT60S20BG
Microsemi Corporation

APT60S20BG

ნაწილი საფონდო: 12393

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 75A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 55ns,

სასურველი
APT30DQ60BG
Microsemi Corporation

APT30DQ60BG

ნაწილი საფონდო: 24299

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სასურველი
APT15D30KG
Microsemi Corporation

APT15D30KG

ნაწილი საფონდო: 1168

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 32ns,

სასურველი
APT30S20SG
Microsemi Corporation

APT30S20SG

ნაწილი საფონდო: 532

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 45A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 850mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 55ns,

სასურველი
APT60D30BG
Microsemi Corporation

APT60D30BG

ნაწილი საფონდო: 571

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 38ns,

სასურველი
APT15D40KG
Microsemi Corporation

APT15D40KG

ნაწილი საფონდო: 614

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 35ns,

სასურველი
APT15S20KG
Microsemi Corporation

APT15S20KG

ნაწილი საფონდო: 5116

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 830mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 80ns,

სასურველი
APT40DQ60BG
Microsemi Corporation

APT40DQ60BG

ნაწილი საფონდო: 23953

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.4V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
APT100S20BG
Microsemi Corporation

APT100S20BG

ნაწილი საფონდო: 9524

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 70ns,

სასურველი
APT40DQ100BG
Microsemi Corporation

APT40DQ100BG

ნაწილი საფონდო: 19872

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 3V @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სასურველი
APT30D60BG
Microsemi Corporation

APT30D60BG

ნაწილი საფონდო: 17982

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.8V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 85ns,

სასურველი
JANTX1N6622
Microsemi Corporation

JANTX1N6622

ნაწილი საფონდო: 3139

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 660V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სასურველი
JANTXV1N645-1
Microsemi Corporation

JANTXV1N645-1

ნაწილი საფონდო: 1860

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 225V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 400mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 400mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
JANTX1N3595US
Microsemi Corporation

JANTX1N3595US

ნაწილი საფონდო: 3443

დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სასურველი
JAN1N3174
Microsemi Corporation

JAN1N3174

ნაწილი საფონდო: 65

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.55V @ 940A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
JANTX1N3070-1
Microsemi Corporation

JANTX1N3070-1

ნაწილი საფონდო: 1471

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 175V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 50ns,

სასურველი
JANTXV1N5618
Microsemi Corporation

JANTXV1N5618

ნაწილი საფონდო: 5261

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
JANTX1N5551US
Microsemi Corporation

JANTX1N5551US

ნაწილი საფონდო: 3807

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 9A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სასურველი
JAN1N5802URS
Microsemi Corporation

JAN1N5802URS

ნაწილი საფონდო: 3415

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 875mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი
JAN1N3614
Microsemi Corporation

JAN1N3614

ნაწილი საფონდო: 5863

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
SBR6030L
Microsemi Corporation

SBR6030L

ნაწილი საფონდო: 578

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 480mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
JAN1N5809URS
Microsemi Corporation

JAN1N5809URS

ნაწილი საფონდო: 3811

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 875mV @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სასურველი
JAN1N5804URS
Microsemi Corporation

JAN1N5804URS

ნაწილი საფონდო: 3402

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 875mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სასურველი