ტრანზისტორები - JFET

MV2N4859

ნაწილი საფონდო: 3465

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 500pA,

MX2N4860UB

ნაწილი საფონდო: 3432

MV2N4092

ნაწილი საფონდო: 3479

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

JANTX2N4091

ნაწილი საფონდო: 960

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30mA @ 20V,

MX2N4859

ნაწილი საფონდო: 3466

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 175mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 500pA,

MV2N4858UB

ნაწილი საფონდო: 3465

MV2N5114

ნაწილი საფონდო: 3432

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 1nA,

JANTX2N4092

ნაწილი საფონდო: 876

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

MV2N4858

ნაწილი საფონდო: 3499

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N4858

ნაწილი საფონდო: 3460

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N4392

ნაწილი საფონდო: 3360

MX2N4858UB

ნაწილი საფონდო: 3421

MV2N4857

ნაწილი საფონდო: 3425

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 500pA,

MX2N4392UB

ნაწილი საფონდო: 3411

MX2N4393

ნაწილი საფონდო: 3465

JANTX2N4416AUB

ნაწილი საფონდო: 561

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 35V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 35V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 1nA,

MV2N4860UB

ნაწილი საფონდო: 3437

MV2N4391

ნაწილი საფონდო: 3459

JANTX2N4093UB

ნაწილი საფონდო: 538

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,

MV2N4392

ნაწილი საფონდო: 3405

JANTX2N4092UB

ნაწილი საფონდო: 530

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 40V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,

MV2N4857UB

ნაწილი საფონდო: 3433

MV2N4859UB

ნაწილი საფონდო: 3368

MV2N4860

ნაწილი საფონდო: 3488

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 500pA,

MX2N4391

ნაწილი საფონდო: 3437

MX2N5116

ნაწილი საფონდო: 3422

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 1nA,

MV2N5116

ნაწილი საფონდო: 3501

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 1nA,

MX2N4860

ნაწილი საფონდო: 3473

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 6V @ 500pA,

MV2N4861

ნაწილი საფონდო: 3498

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N5114

ნაწილი საფონდო: 3508

FET ტიპი: P-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 90mA @ 18V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 10V @ 1nA,

MX2N4857UB

ნაწილი საფონდო: 3427

MX2N4391UB

ნაწილი საფონდო: 3417

MV2N4856UB

ნაწილი საფონდო: 3496

MX2N4861

ნაწილი საფონდო: 3419

FET ტიპი: N-Channel, ძაბვა - ავარია (V (BR) GSS): 30V, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - გადინება (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80mA @ 15V, ძაბვა - გამყოფი (VGS გამორთული) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MV2N4392UB

ნაწილი საფონდო: 3458

MV2N4393

ნაწილი საფონდო: 3427