ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

Infineon Technologies

IRFHM8363TRPBF

ნაწილი საფონდო: 191314

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.35V @ 25µA,

სასურველი

IPG20N04S4L11AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S4L11AATMA1

ნაწილი საფონდო: 165940

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 15µA,

სასურველი

IPG20N06S4L11AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11AATMA1

ნაწილი საფონდო: 94288

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 28µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7309TRPBF

ნაწილი საფონდო: 150382

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, 3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

IPG20N04S408ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S408ATMA1

ნაწილი საფონდო: 104533

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 30µA,

სასურველი

IPG20N10S4L35AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L35AATMA1

ნაწილი საფონდო: 155833

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 16µA,

სასურველი

IPG20N04S412ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S412ATMA1

ნაწილი საფონდო: 172931

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 15µA,

სასურველი

IPG20N10S436AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S436AATMA1

ნაწილი საფონდო: 139478

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.5V @ 16µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7331TRPBF

ნაწილი საფონდო: 196280

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7104TRPBF

ნაწილი საფონდო: 104561

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7379TRPBF

ნაწილი საფონდო: 199093

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

IPG20N10S4L22AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N10S4L22AATMA1

ნაწილი საფონდო: 108999

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 25µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF6802SDTRPBF

ნაწილი საფონდო: 60962

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 35µA,

სასურველი

IPG20N06S4L26ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L26ATMA1

ნაწილი საფონდო: 197280

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 10µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRLHS6376TRPBF

ნაწილი საფონდო: 115333

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.1V @ 10µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7902TRPBF

ნაწილი საფონდო: 168640

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.4A, 9.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.25V @ 25µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7311TRPBF

ნაწილი საფონდო: 168715

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 700mV @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7316TRPBF

ნაწილი საფონდო: 172337

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7904TRPBF

ნაწილი საფონდო: 188754

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.6A, 11A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 7.6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.25V @ 25µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7303TRPBF

ნაწილი საფონდო: 185377

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

IPG20N04S408AATMA1

Infineon Technologies

IPG20N04S408AATMA1

ნაწილი საფონდო: 101294

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 30µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7342TRPBF

ნაწილი საფონდო: 156976

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7105TRPBF

ნაწილი საფონდო: 196914

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სასურველი

IPG16N10S4L61AATMA1

Infineon Technologies

IPG16N10S4L61AATMA1

ნაწილი საფონდო: 195154

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 90µA,

სასურველი

IPG20N06S4L14ATMA2

Infineon Technologies

IPG20N06S4L14ATMA2

ნაწილი საფონდო: 126778

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 13.7 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 20µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7304

ნაწილი საფონდო: 40531

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 700mV @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF8313TRPBF

ნაწილი საფონდო: 190133

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.35V @ 25µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRFH4251DTRPBF

ნაწილი საფონდო: 49673

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 64A, 188A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 35µA,

სასურველი

IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

IPG20N06S4L11ATMA1

ნაწილი საფონდო: 97219

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 28µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7341TRPBF

ნაწილი საფონდო: 73259

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 55V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7319TRPBF

ნაწილი საფონდო: 180145

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7389TRPBF

ნაწილი საფონდო: 166810

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7907TRPBF

ნაწილი საფონდო: 173843

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.1A, 11A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16.4 mOhm @ 9.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.35V @ 25µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRFHM792TRPBF

ნაწილი საფონდო: 82378

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 10µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF7506TRPBF

ნაწილი საფონდო: 149700

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სასურველი

Infineon Technologies

IRF9362TRPBF

ნაწილი საფონდო: 188725

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 25µA,

სასურველი

384

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»