ნაწილი საფონდო: 66407
FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 4.5V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 19A, 39A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,