| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Not For New Designs |
|---|---|
| FET ტიპი | 2 N-Channel (Dual) |
| FET ფუნქცია | Logic Level Gate |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 25V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | 16A |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 1350pF @ 13V |
| სიმძლავრე - მაქს | 1.7W |
| ოპერაციული ტემპერატურა | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | DirectFET™ Isometric SA |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | DIRECTFET™ SA |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
