Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
MBRTA60045R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045R

ნაწილი საფონდო: 4222

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80045L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045L

ნაწილი საფონდო: 4310

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA800150R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800150R

ნაწილი საფონდო: 4310

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF40080
GeneSiC Semiconductor

MBRF40080

ნაწილი საფონდო: 4252

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF30010
GeneSiC Semiconductor

MURF30010

ნაწილი საფონდო: 4437

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF400100
GeneSiC Semiconductor

MBRF400100

ნაწილი საფონდო: 4245

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF40030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40030R

ნაწილი საფონდო: 4263

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF40045
GeneSiC Semiconductor

MBRF40045

ნაწილი საფონდო: 4277

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST16035L
GeneSiC Semiconductor

FST16035L

ნაწილი საფონდო: 4432

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF12035
GeneSiC Semiconductor

MBRF12035

ნაწილი საფონდო: 4243

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST16040L
GeneSiC Semiconductor

FST16040L

ნაწილი საფონდო: 4172

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA50045R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50045R

ნაწილი საფონდო: 4270

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80020
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020

ნაწილი საფონდო: 4268

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA60040R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60040R

ნაწილი საფონდო: 4291

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF60035
GeneSiC Semiconductor

MBRF60035

ნაწილი საფონდო: 4229

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST7340M
GeneSiC Semiconductor

FST7340M

ნაწილი საფონდო: 4218

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA50035
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50035

ნაწილი საფონდო: 4218

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF12080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF12080R

ნაწილი საფონდო: 4284

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA50060R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50060R

ნაწილი საფონდო: 4234

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA500100R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500100R

ნაწილი საფონდო: 4254

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA500150
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500150

ნაწილი საფონდო: 4222

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF40020R
GeneSiC Semiconductor

MURF40020R

ნაწილი საფონდო: 4294

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF12040
GeneSiC Semiconductor

MBRF12040

ნაწილი საფონდო: 4234

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT40020L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40020L

ნაწილი საფონდო: 4419

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30030
GeneSiC Semiconductor

MBRF30030

ნაწილი საფონდო: 4289

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80040R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040R

ნაწილი საფონდო: 4290

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UFT14010
GeneSiC Semiconductor

UFT14010

ნაწილი საფონდო: 4261

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 70A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 70A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF20020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20020R

ნაწილი საფონდო: 4271

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR40035CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR40035CTL

ნაწილი საფონდო: 4250

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80020R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80020R

ნაწილი საფონდო: 4271

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA600200R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA600200R

ნაწილი საფონდო: 4263

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30045CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTL

ნაწილი საფონდო: 4160

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR60045CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTRL

ნაწილი საფონდო: 4210

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF60020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF60020R

ნაწილი საფონდო: 4281

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30035CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTRL

ნაწილი საფონდო: 4165

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
UFT10060
GeneSiC Semiconductor

UFT10060

ნაწილი საფონდო: 4325

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი