Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
MBRTA40040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40040RL

ნაწილი საფონდო: 4259

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF40040
GeneSiC Semiconductor

MURF40040

ნაწილი საფონდო: 4322

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF20020
GeneSiC Semiconductor

MBRF20020

ნაწილი საფონდო: 4217

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA60080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60080

ნაწილი საფონდო: 4271

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA500200
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500200

ნაწილი საფონდო: 4517

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA60020
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020

ნაწილი საფონდო: 4512

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA800200R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800200R

ნაწილი საფონდო: 4309

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA60060
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60060

ნაწილი საფონდო: 4290

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF40060R
GeneSiC Semiconductor

MURF40060R

ნაწილი საფონდო: 4260

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA60035RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035RL

ნაწილი საფონდო: 4315

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT40035RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035RL

ნაწილი საფონდო: 5467

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT40035L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035L

ნაწილი საფონდო: 4257

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF400200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF400200R

ნაწილი საფონდო: 4204

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF30020R
GeneSiC Semiconductor

MURF30020R

ნაწილი საფონდო: 4240

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA800100
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800100

ნაწილი საფონდო: 4261

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF30060R
GeneSiC Semiconductor

MURF30060R

ნაწილი საფონდო: 4301

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30080R

ნაწილი საფონდო: 4271

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF50020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50020R

ნაწილი საფონდო: 4247

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80030
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030

ნაწილი საფონდო: 4236

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF40010
GeneSiC Semiconductor

MURF40010

ნაწილი საფონდო: 4266

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT30045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT30045RL

ნაწილი საფონდო: 4244

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80040
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040

ნაწილი საფონდო: 4266

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA40035L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40035L

ნაწილი საფონდო: 4307

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF20030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20030R

ნაწილი საფონდო: 4208

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST6360M
GeneSiC Semiconductor

FST6360M

ნაწილი საფონდო: 4243

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 30A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF60020
GeneSiC Semiconductor

MBRF60020

ნაწილი საფონდო: 4460

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30080
GeneSiC Semiconductor

MBRF30080

ნაწილი საფონდო: 4203

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30020R

ნაწილი საფონდო: 4240

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT40030L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40030L

ნაწილი საფონდო: 4265

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT60040L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60040L

ნაწილი საფონდო: 4249

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTL

ნაწილი საფონდო: 4183

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040RL

ნაწილი საფონდო: 4251

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30040CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTL

ნაწილი საფონდო: 4245

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA60045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045RL

ნაწილი საფონდო: 4298

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST16030L
GeneSiC Semiconductor

FST16030L

ნაწილი საფონდო: 4245

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR60040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTRL

ნაწილი საფონდო: 4178

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი