Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
MBRT40045L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40045L

ნაწილი საფონდო: 4252

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80045
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80045

ნაწილი საფონდო: 4269

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 720mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR30035CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30035CTL

ნაწილი საფონდო: 4173

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30045R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30045R

ნაწილი საფონდო: 4249

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF40020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40020R

ნაწილი საფონდო: 4210

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA600150
GeneSiC Semiconductor

MBRTA600150

ნაწილი საფონდო: 4305

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF12020
GeneSiC Semiconductor

MBRF12020

ნაწილი საფონდო: 4275

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA40030RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40030RL

ნაწილი საფონდო: 4228

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30045
GeneSiC Semiconductor

MBRF30045

ნაწილი საფონდო: 4286

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA50080R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA50080R

ნაწილი საფონდო: 4240

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF40080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF40080R

ნაწილი საფონდო: 4237

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF120200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF120200R

ნაწილი საფონდო: 4281

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF500150
GeneSiC Semiconductor

MBRF500150

ნაწილი საფონდო: 4241

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA60020R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020R

ნაწილი საფონდო: 4306

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF50040R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50040R

ნაწილი საფონდო: 4243

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST16020L
GeneSiC Semiconductor

FST16020L

ნაწილი საფონდო: 4185

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT60030L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60030L

ნაწილი საფონდო: 4216

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF120150R
GeneSiC Semiconductor

MBRF120150R

ნაწილი საფონდო: 4279

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30040
GeneSiC Semiconductor

MBRF30040

ნაწილი საფონდო: 4266

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF40030
GeneSiC Semiconductor

MBRF40030

ნაწილი საფონდო: 4202

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST7320M
GeneSiC Semiconductor

FST7320M

ნაწილი საფონდო: 4194

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30035
GeneSiC Semiconductor

MBRF30035

ნაწილი საფონდო: 4284

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF30040
GeneSiC Semiconductor

MURF30040

ნაწილი საფონდო: 4311

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF50030
GeneSiC Semiconductor

MBRF50030

ნაწილი საფონდო: 4239

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR40040CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR40040CTL

ნაწილი საფონდო: 4178

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR40035CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR40035CTRL

ნაწილი საფონდო: 4261

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
FST7345M
GeneSiC Semiconductor

FST7345M

ნაწილი საფონდო: 4269

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 35A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF50060
GeneSiC Semiconductor

MBRF50060

ნაწილი საფონდო: 4499

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 780mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF30060
GeneSiC Semiconductor

MBRF30060

ნაწილი საფონდო: 4220

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA60040L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60040L

ნაწილი საფონდო: 4253

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF20045R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20045R

ნაწილი საფონდო: 4280

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF120100
GeneSiC Semiconductor

MBRF120100

ნაწილი საფონდო: 4216

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT60035L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60035L

ნაწილი საფონდო: 4228

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 600mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRF120150
GeneSiC Semiconductor

MBRF120150

ნაწილი საფონდო: 4204

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURF30005R
GeneSiC Semiconductor

MURF30005R

ნაწილი საფონდო: 4241

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRTA80030L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030L

ნაწილი საფონდო: 4287

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 30V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 580mV @ 400A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი