Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - მასივები

  • სახლი
  •  
  • დიოდები - გამსწორებლები - მასივები
MSRT25060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

ნაწილი საფონდო: 1332

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA500120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

ნაწილი საფონდო: 811

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT15080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)

ნაწილი საფონდო: 1880

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT150120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)

ნაწილი საფონდო: 1845

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT150140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)

ნაწილი საფონდო: 1876

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA400160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400160(A)

ნაწილი საფონდო: 1213

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA500140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500140(A)

ნაწილი საფონდო: 729

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

ნაწილი საფონდო: 1374

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

ნაწილი საფონდო: 665

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT150160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)

ნაწილი საფონდო: 1872

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT20080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

ნაწილი საფონდო: 1478

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA400120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

ნაწილი საფონდო: 1232

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA500160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

ნაწილი საფონდო: 811

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA400140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

ნაწილი საფონდო: 1275

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT200140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)

ნაწილი საფონდო: 1492

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT25080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

ნაწილი საფონდო: 1344

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA40080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

ნაწილი საფონდო: 1195

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT250160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

ნაწილი საფონდო: 1410

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT200160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)

ნაწილი საფონდო: 1484

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA30080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)

ნაწილი საფონდო: 1311

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 300A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA500100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500100(A)

ნაწილი საფონდო: 789

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MUR2X100A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A02

ნაწილი საფონდო: 2965

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT20060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)

ნაწილი საფონდო: 1570

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT15060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)

ნაწილი საფონდო: 1934

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT150100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)

ნაწილი საფონდო: 1879

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 150A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA400100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400100(A)

ნაწილი საფონდო: 1207

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 400A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MUR2X030A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A02

ნაწილი საფონდო: 3697

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 30A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRTA50060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA50060(A)

ნაწილი საფონდო: 795

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 500A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MSRT250140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250140(A)

ნაწილი საფონდო: 1411

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 250A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR200100CTS
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTS

ნაწილი საფონდო: 1445

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2X100A180
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A180

ნაწილი საფონდო: 2631

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 180V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBRT30035R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30035R

ნაწილი საფონდო: 1154

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MURT40040R
GeneSiC Semiconductor

MURT40040R

ნაწილი საფონდო: 980

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.35V @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor

MBR50045CT

ნაწილი საფონდო: 1065

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR12045CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12045CTR

ნაწილი საფონდო: 1320

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი
MBR2X060A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A045

ნაწილი საფონდო: 3248

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი