დიოდები - გამსწორებლები - მასივები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 25

MBR20040CTR

ნაწილი საფონდო: 1522

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100

ნაწილი საფონდო: 943

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 600A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT500150

ნაწილი საფონდო: 1136

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 250A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR60045CTR

ნაწილი საფონდო: 809

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A150

ნაწილი საფონდო: 3665

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR50035CTR

ნაწილი საფონდო: 1190

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060

ნაწილი საფონდო: 945

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A180

ნაწილი საფონდო: 3068

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 180V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A120

ნაწილი საფონდო: 3870

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 120V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MUR20060CTR

ნაწილი საფონდო: 1240

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A080

ნაწილი საფონდო: 3284

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR2X080A080

ნაწილი საფონდო: 4139

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 80A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 80A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A060

ნაწილი საფონდო: 3894

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT120150

ნაწილი საფონდო: 1838

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060R

ნაწილი საფონდო: 1368

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT30060R

ნაწილი საფონდო: 1244

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR12080CTR

ნაწილი საფონდო: 1544

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FST16060

ნაწილი საფონდო: 1480

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 160A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 160A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA60060

ნაწილი საფონდო: 1000

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 600A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURT30020

ნაწილი საფონდო: 1086

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MSRT10080(A)D

ნაწილი საფონდო: 1907

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Series Connection, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR120200CT

ნაწილი საფონდო: 1554

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 920mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT60040

ნაწილი საფონდო: 956

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 600A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 300A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR12040CTR

ნაწილი საფონდო: 1504

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT12060R

ნაწილი საფონდო: 1881

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 120A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 60A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT40060R

ნაწილი საფონდო: 1366

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 60V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 800mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR40045CT

ნაწილი საფონდო: 1238

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR50080CT

ნაწილი საფონდო: 1182

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 500A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 880mV @ 250A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURT30060R

ნაწილი საფონდო: 1172

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.7V @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

FST10045

ნაწილი საფონდო: 1532

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 45V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBRT40035

ნაწილი საფონდო: 1119

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 400A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 200A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MUR20020CTR

ნაწილი საფონდო: 1203

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MUR2X060A12

ნაწილი საფონდო: 2901

დიოდის კონფიგურაცია: 2 Independent, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.35V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MURTA400120R

ნაწილი საფონდო: 958

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Anode, დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.6V @ 200A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR20040CT

ნაწილი საფონდო: 1562

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 200A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 100A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი

GeneSiC Semiconductor

MBR30040CT

ნაწილი საფონდო: 1442

დიოდის კონფიგურაცია: 1 Pair Common Cathode, დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) (დიოდზე): 300A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 650mV @ 150A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სასურველი