რეზისტორული ქსელები, მასივები

742C083560JTR

742C083560JTR

ნაწილი საფონდო: 4357

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C083270JTR

742C083270JTR

ნაწილი საფონდო: 4339

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C083330JTR

742C083330JTR

ნაწილი საფონდო: 4376

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C083390JTR

742C083390JTR

ნაწილი საფონდო: 4357

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C083220JTR

742C083220JTR

ნაწილი საფონდო: 4408

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C083150JTR

742C083150JTR

ნაწილი საფონდო: 4318

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C083180JTR

742C083180JTR

ნაწილი საფონდო: 4383

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C083120JTR

742C083120JTR

ნაწილი საფონდო: 4356

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
742C043224JTR

742C043224JTR

ნაწილი საფონდო: 4316

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043474JTR

742C043474JTR

ნაწილი საფონდო: 4373

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043105JTR

742C043105JTR

ნაწილი საფონდო: 5472

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043334JTR

742C043334JTR

ნაწილი საფონდო: 4322

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043333JTR

742C043333JTR

ნაწილი საფონდო: 4389

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043223JTR

742C043223JTR

ნაწილი საფონდო: 4380

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043104JTR

742C043104JTR

ნაწილი საფონდო: 4385

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043473JTR

742C043473JTR

ნაწილი საფონდო: 4371

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043103JTR

742C043103JTR

ნაწილი საფონდო: 4362

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043102JTR

742C043102JTR

ნაწილი საფონდო: 4384

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043332JTR

742C043332JTR

ნაწილი საფონდო: 4336

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043222JTR

742C043222JTR

ნაწილი საფონდო: 4327

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043101JTR

742C043101JTR

ნაწილი საფონდო: 4349

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043471JTR

742C043471JTR

ნაწილი საფონდო: 4328

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043331JTR

742C043331JTR

ნაწილი საფონდო: 4376

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043220JTR

742C043220JTR

ნაწილი საფონდო: 4365

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
752105131A

752105131A

ნაწილი საფონდო: 5436

სქემის ტიპი: Dual Terminator, წინააღმდეგობა (ომი): 220, 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 16,

სასურველი
742C043330JTR

742C043330JTR

ნაწილი საფონდო: 4374

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C043470JTR

742C043470JTR

ნაწილი საფონდო: 4380

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
752123103G

752123103G

ნაწილი საფონდო: 4374

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123222G

752123222G

ნაწილი საფონდო: 4368

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123332G

752123332G

ნაწილი საფონდო: 4385

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123472G

752123472G

ნაწილი საფონდო: 5500

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123470G

752123470G

ნაწილი საფონდო: 4340

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123102G

752123102G

ნაწილი საფონდო: 4376

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123330G

752123330G

ნაწილი საფონდო: 4387

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752123101G

752123101G

ნაწილი საფონდო: 4303

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 6,

სასურველი
752103103G

752103103G

ნაწილი საფონდო: 4322

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 5,

სასურველი