რეზისტორული ქსელები, მასივები

743C083181JTR

743C083181JTR

ნაწილი საფონდო: 4438

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083121JTR

743C083121JTR

ნაწილი საფონდო: 4374

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083221JTR

743C083221JTR

ნაწილი საფონდო: 4400

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083101JTR

743C083101JTR

ნაწილი საფონდო: 5466

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083111JTR

743C083111JTR

ნაწილი საფონდო: 4462

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 110, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083680JTR

743C083680JTR

ნაწილი საფონდო: 4466

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083820JTR

743C083820JTR

ნაწილი საფონდო: 4433

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083560JTR

743C083560JTR

ნაწილი საფონდო: 4391

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083510JTR

743C083510JTR

ნაწილი საფონდო: 4440

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083470JTR

743C083470JTR

ნაწილი საფონდო: 4387

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083220JTR

743C083220JTR

ნაწილი საფონდო: 4372

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083330JTR

743C083330JTR

ნაწილი საფონდო: 4464

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083180JTR

743C083180JTR

ნაწილი საფონდო: 4406

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083270JTR

743C083270JTR

ნაწილი საფონდო: 5487

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083100JTR

743C083100JTR

ნაწილი საფონდო: 4392

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C043474JTR

743C043474JTR

ნაწილი საფონდო: 4447

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C083150JTR

743C083150JTR

ნაწილი საფონდო: 4371

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C043105JTR

743C043105JTR

ნაწილი საფონდო: 4366

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C083120JTR

743C083120JTR

ნაწილი საფონდო: 4407

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C043473JTR

743C043473JTR

ნაწილი საფონდო: 4379

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043104JTR

743C043104JTR

ნაწილი საფონდო: 4362

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043224JTR

743C043224JTR

ნაწილი საფონდო: 4374

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043333JTR

743C043333JTR

ნაწილი საფონდო: 4415

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043103JTR

743C043103JTR

ნაწილი საფონდო: 258

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043472JTR

743C043472JTR

ნაწილი საფონდო: 4432

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043223JTR

743C043223JTR

ნაწილი საფონდო: 4455

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043471JTR

743C043471JTR

ნაწილი საფონდო: 4393

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043332JTR

743C043332JTR

ნაწილი საფონდო: 4412

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043102JTR

743C043102JTR

ნაწილი საფონდო: 4451

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043222JTR

743C043222JTR

ნაწილი საფონდო: 4450

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043221JTR

743C043221JTR

ნაწილი საფონდო: 4403

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043101JTR

743C043101JTR

ნაწილი საფონდო: 4413

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043470JTR

743C043470JTR

ნაწილი საფონდო: 4396

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043331JTR

743C043331JTR

ნაწილი საფონდო: 4424

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C043330JTR

743C043330JTR

ნაწილი საფონდო: 4431

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
742C163105JTR

742C163105JTR

ნაწილი საფონდო: 4385

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი