რეზისტორული ქსელები, მასივები

744C083823JTR

744C083823JTR

ნაწილი საფონდო: 4476

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083683JTR

744C083683JTR

ნაწილი საფონდო: 4462

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083473JTR

744C083473JTR

ნაწილი საფონდო: 4514

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083513JTR

744C083513JTR

ნაწილი საფონდო: 4446

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083393JTR

744C083393JTR

ნაწილი საფონდო: 4510

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083333JTR

744C083333JTR

ნაწილი საფონდო: 4483

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083183JTR

744C083183JTR

ნაწილი საფონდო: 4508

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083273JTR

744C083273JTR

ნაწილი საფონდო: 4503

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083223JTR

744C083223JTR

ნაწილი საფონდო: 4463

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083822JTR

744C083822JTR

ნაწილი საფონდო: 4431

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083123JTR

744C083123JTR

ნაწილი საფონდო: 4477

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083103JTR

744C083103JTR

ნაწილი საფონდო: 4510

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083682JTR

744C083682JTR

ნაწილი საფონდო: 4514

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083562JTR

744C083562JTR

ნაწილი საფონდო: 4461

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083472JTR

744C083472JTR

ნაწილი საფონდო: 4468

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083512JTR

744C083512JTR

ნაწილი საფონდო: 4467

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083152JTR

744C083152JTR

ნაწილი საფონდო: 4422

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083222JTR

744C083222JTR

ნაწილი საფონდო: 4474

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083182JTR

744C083182JTR

ნაწილი საფონდო: 4499

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083821JTR

744C083821JTR

ნაწილი საფონდო: 4501

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083102JTR

744C083102JTR

ნაწილი საფონდო: 4425

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083681JTR

744C083681JTR

ნაწილი საფონდო: 4471

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083391JTR

744C083391JTR

ნაწილი საფონდო: 4421

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083511JTR

744C083511JTR

ნაწილი საფონდო: 4500

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083561JTR

744C083561JTR

ნაწილი საფონდო: 4417

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083471JTR

744C083471JTR

ნაწილი საფონდო: 5454

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083331JTR

744C083331JTR

ნაწილი საფონდო: 4431

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083271JTR

744C083271JTR

ნაწილი საფონდო: 4453

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083221JTR

744C083221JTR

ნაწილი საფონდო: 4463

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083181JTR

744C083181JTR

ნაწილი საფონდო: 4504

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083151JTR

744C083151JTR

ნაწილი საფონდო: 4466

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083101JTR

744C083101JTR

ნაწილი საფონდო: 4426

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083121JTR

744C083121JTR

ნაწილი საფონდო: 4471

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083680JTR

744C083680JTR

ნაწილი საფონდო: 4420

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083560JTR

744C083560JTR

ნაწილი საფონდო: 4408

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083820JTR

744C083820JTR

ნაწილი საფონდო: 5495

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი