რეზისტორული ქსელები, მასივები

744C083510JTR

744C083510JTR

ნაწილი საფონდო: 5506

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083390JTR

744C083390JTR

ნაწილი საფონდო: 4417

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083270JTR

744C083270JTR

ნაწილი საფონდო: 4428

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083470JTR

744C083470JTR

ნაწილი საფონდო: 4462

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083330JTR

744C083330JTR

ნაწილი საფონდო: 4453

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083150JTR

744C083150JTR

ნაწილი საფონდო: 4415

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083220JTR

744C083220JTR

ნაწილი საფონდო: 4484

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083180JTR

744C083180JTR

ნაწილი საფონდო: 4453

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C083120JTR

744C083120JTR

ნაწილი საფონდო: 4487

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C043105JTR

744C043105JTR

ნაწილი საფონდო: 4486

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043474JTR

744C043474JTR

ნაწილი საფონდო: 4450

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043334JTR

744C043334JTR

ნაწილი საფონდო: 4458

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C083100JTR

744C083100JTR

ნაწილი საფონდო: 4428

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C043473JTR

744C043473JTR

ნაწილი საფონდო: 4410

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043104JTR

744C043104JTR

ნაწილი საფონდო: 4480

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043333JTR

744C043333JTR

ნაწილი საფონდო: 4434

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043472JTR

744C043472JTR

ნაწილი საფონდო: 4458

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 4.7k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043103JTR

744C043103JTR

ნაწილი საფონდო: 4453

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043332JTR

744C043332JTR

ნაწილი საფონდო: 4472

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043102JTR

744C043102JTR

ნაწილი საფონდო: 4397

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043331JTR

744C043331JTR

ნაწილი საფონდო: 4411

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043222JTR

744C043222JTR

ნაწილი საფონდო: 5503

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043471JTR

744C043471JTR

ნაწილი საფონდო: 5442

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043101JTR

744C043101JTR

ნაწილი საფონდო: 4476

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043330JTR

744C043330JTR

ნაწილი საფონდო: 4454

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043221JTR

744C043221JTR

ნაწილი საფონდო: 4445

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
744C043470JTR

744C043470JTR

ნაწილი საფონდო: 4442

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C083684JTR

743C083684JTR

ნაწილი საფონდო: 4397

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
744C043220JTR

744C043220JTR

ნაწილი საფონდო: 4405

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 2,

სასურველი
743C083105JTR

743C083105JTR

ნაწილი საფონდო: 4417

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083474JTR

743C083474JTR

ნაწილი საფონდო: 4476

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083334JTR

743C083334JTR

ნაწილი საფონდო: 4434

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083564JTR

743C083564JTR

ნაწილი საფონდო: 4458

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083394JTR

743C083394JTR

ნაწილი საფონდო: 4452

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083274JTR

743C083274JTR

ნაწილი საფონდო: 4489

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი
743C083184JTR

743C083184JTR

ნაწილი საფონდო: 4486

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±5%, რეზისტორების რაოდენობა: 4,

სასურველი