რეზისტორული ქსელები, მასივები

767163124G

767163124G

ნაწილი საფონდო: 4096

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163563G

767163563G

ნაწილი საფონდო: 5467

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 56k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163333G

767163333G

ნაწილი საფონდო: 4116

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163273G

767163273G

ნაწილი საფონდო: 5439

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163473G

767163473G

ნაწილი საფონდო: 4126

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163393G

767163393G

ნაწილი საფონდო: 4132

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163183G

767163183G

ნაწილი საფონდო: 4138

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163223G

767163223G

ნაწილი საფონდო: 4124

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163153G

767163153G

ნაწილი საფონდო: 4119

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163203G

767163203G

ნაწილი საფონდო: 4074

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163682G

767163682G

ნაწილი საფონდო: 4139

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 6.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163822G

767163822G

ნაწილი საფონდო: 5504

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163123G

767163123G

ნაწილი საფონდო: 4142

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163512G

767163512G

ნაწილი საფონდო: 4081

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163562G

767163562G

ნაწილი საფონდო: 4126

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163392G

767163392G

ნაწილი საფონდო: 5441

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163222G

767163222G

ნაწილი საფონდო: 4131

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163332G

767163332G

ნაწილი საფონდო: 4049

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.3k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163272G

767163272G

ნაწილი საფონდო: 4118

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163102G

767163102G

ნაწილი საფონდო: 4064

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163182G

767163182G

ნაწილი საფონდო: 4086

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163122G

767163122G

ნაწილი საფონდო: 4048

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163511G

767163511G

ნაწილი საფონდო: 4080

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163681G

767163681G

ნაწილი საფონდო: 5459

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163561G

767163561G

ნაწილი საფონდო: 5460

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163471G

767163471G

ნაწილი საფონდო: 4094

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163271G

767163271G

ნაწილი საფონდო: 4040

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163391G

767163391G

ნაწილი საფონდო: 4117

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163181G

767163181G

ნაწილი საფონდო: 4132

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163221G

767163221G

ნაწილი საფონდო: 4134

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163151G

767163151G

ნაწილი საფონდო: 4101

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163201G

767163201G

ნაწილი საფონდო: 4056

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163101G

767163101G

ნაწილი საფონდო: 4078

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163121G

767163121G

ნაწილი საფონდო: 4065

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163820G

767163820G

ნაწილი საფონდო: 4113

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
767163680G

767163680G

ნაწილი საფონდო: 4133

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი