რეზისტორული ქსელები, მასივები

767161222G

767161222G

ნაწილი საფონდო: 4038

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161681G

767161681G

ნაწილი საფონდო: 4061

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161102G

767161102G

ნაწილი საფონდო: 4092

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161821G

767161821G

ნაწილი საფონდო: 4040

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 820, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161122G

767161122G

ნაწილი საფონდო: 4095

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161471G

767161471G

ნაწილი საფონდო: 4051

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161391G

767161391G

ნაწილი საფონდო: 4040

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161561G

767161561G

ნაწილი საფონდო: 4078

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161511G

767161511G

ნაწილი საფონდო: 4098

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161331G

767161331G

ნაწილი საფონდო: 4042

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161221G

767161221G

ნაწილი საფონდო: 5442

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161271G

767161271G

ნაწილი საფონდო: 4061

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161201G

767161201G

ნაწილი საფონდო: 4022

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161151G

767161151G

ნაწილი საფონდო: 4013

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161101G

767161101G

ნაწილი საფონდო: 2584

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161181G

767161181G

ნაწილი საფონდო: 4066

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161121G

767161121G

ნაწილი საფონდო: 4068

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161510G

767161510G

ნაწილი საფონდო: 4081

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161820G

767161820G

ნაწილი საფონდო: 4104

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161680G

767161680G

ნაწილი საფონდო: 4060

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161560G

767161560G

ნაწილი საფონდო: 4010

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161270G

767161270G

ნაწილი საფონდო: 4064

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161330G

767161330G

ნაწილი საფონდო: 5445

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767161390G

767161390G

ნაწილი საფონდო: 4015

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767143824G

767143824G

ნაწილი საფონდო: 5451

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143684G

767143684G

ნაწილი საფონდო: 4008

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143105G

767143105G

ნაწილი საფონდო: 4089

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767161220G

767161220G

ნაწილი საფონდო: 4044

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
767143474G

767143474G

ნაწილი საფონდო: 4097

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143394G

767143394G

ნაწილი საფონდო: 4081

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143564G

767143564G

ნაწილი საფონდო: 4064

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143154G

767143154G

ნაწილი საფონდო: 4083

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143274G

767143274G

ნაწილი საფონდო: 4068

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143224G

767143224G

ნაწილი საფონდო: 5418

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143124G

767143124G

ნაწილი საფონდო: 4087

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
767143683G

767143683G

ნაწილი საფონდო: 5459

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი