რეზისტორული ქსელები, მასივები

766163224G

766163224G

ნაწილი საფონდო: 4038

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163184G

766163184G

ნაწილი საფონდო: 3992

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163124G

766163124G

ნაწილი საფონდო: 4002

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163823G

766163823G

ნაწილი საფონდო: 4030

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163683G

766163683G

ნაწილი საფონდო: 5412

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 68k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163104G

766163104G

ნაწილი საფონდო: 4003

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163473G

766163473G

ნაწილი საფონდო: 4035

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 47k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163393G

766163393G

ნაწილი საფონდო: 3974

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 39k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163273G

766163273G

ნაწილი საფონდო: 4024

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 27k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163333G

766163333G

ნაწილი საფონდო: 3970

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 33k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163153G

766163153G

ნაწილი საფონდო: 3970

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 15k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163183G

766163183G

ნაწილი საფონდო: 3992

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 18k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163203G

766163203G

ნაწილი საფონდო: 3945

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 20k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163223G

766163223G

ნაწილი საფონდო: 4029

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 22k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163103G

766163103G

ნაწილი საფონდო: 3954

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 10k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163123G

766163123G

ნაწილი საფონდო: 4023

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 12k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163822G

766163822G

ნაწილი საფონდო: 4017

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 8.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163512G

766163512G

ნაწილი საფონდო: 3994

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163392G

766163392G

ნაწილი საფონდო: 4014

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 3.9k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163562G

766163562G

ნაწილი საფონდო: 3960

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 5.6k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163272G

766163272G

ნაწილი საფონდო: 3980

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163222G

766163222G

ნაწილი საფონდო: 3958

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163202G

766163202G

ნაწილი საფონდო: 3957

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163681G

766163681G

ნაწილი საფონდო: 5485

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163471G

766163471G

ნაწილი საფონდო: 3982

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163511G

766163511G

ნაწილი საფონდო: 4013

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163561G

766163561G

ნაწილი საფონდო: 4002

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 560, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163391G

766163391G

ნაწილი საფონდო: 3969

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163201G

766163201G

ნაწილი საფონდო: 4005

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163271G

766163271G

ნაწილი საფონდო: 4006

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163331G

766163331G

ნაწილი საფონდო: 4014

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163121G

766163121G

ნაწილი საფონდო: 3958

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163181G

766163181G

ნაწილი საფონდო: 4007

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163101G

766163101G

ნაწილი საფონდო: 3955

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163151G

766163151G

ნაწილი საფონდო: 3982

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი
766163510G

766163510G

ნაწილი საფონდო: 3930

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 8,

სასურველი