რეზისტორული ქსელები, მასივები

766161222G

766161222G

ნაწილი საფონდო: 4006

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161272G

766161272G

ნაწილი საფონდო: 3944

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 2.7k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161102G

766161102G

ნაწილი საფონდო: 5411

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161152G

766161152G

ნაწილი საფონდო: 3951

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.5k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161182G

766161182G

ნაწილი საფონდო: 3990

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.8k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161122G

766161122G

ნაწილი საფონდო: 3993

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 1.2k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161681G

766161681G

ნაწილი საფონდო: 3994

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 680, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161511G

766161511G

ნაწილი საფონდო: 3994

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 510, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161391G

766161391G

ნაწილი საფონდო: 3994

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 390, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161471G

766161471G

ნაწილი საფონდო: 3911

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 470, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161331G

766161331G

ნაწილი საფონდო: 3982

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 330, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161271G

766161271G

ნაწილი საფონდო: 3989

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 270, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161151G

766161151G

ნაწილი საფონდო: 3911

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 150, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161201G

766161201G

ნაწილი საფონდო: 3974

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 200, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161181G

766161181G

ნაწილი საფონდო: 3959

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 180, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161221G

766161221G

ნაწილი საფონდო: 3971

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 220, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161680G

766161680G

ნაწილი საფონდო: 3902

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 68, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161121G

766161121G

ნაწილი საფონდო: 3966

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 120, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161101G

766161101G

ნაწილი საფონდო: 3909

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 100, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161820G

766161820G

ნაწილი საფონდო: 5451

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 82, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161510G

766161510G

ნაწილი საფონდო: 3943

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 51, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161560G

766161560G

ნაწილი საფონდო: 3991

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 56, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161390G

766161390G

ნაწილი საფონდო: 3955

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 39, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161470G

766161470G

ნაწილი საფონდო: 3927

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 47, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161220G

766161220G

ნაწილი საფონდო: 3958

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 22, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161270G

766161270G

ნაწილი საფონდო: 3946

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 27, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766161330G

766161330G

ნაწილი საფონდო: 3982

სქემის ტიპი: Bussed, წინააღმდეგობა (ომი): 33, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 15,

სასურველი
766143105G

766143105G

ნაწილი საფონდო: 3919

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 1M, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
766143684G

766143684G

ნაწილი საფონდო: 3915

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 680k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
766143824G

766143824G

ნაწილი საფონდო: 3957

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 820k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
766143224G

766143224G

ნაწილი საფონდო: 3922

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 220k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
766143334G

766143334G

ნაწილი საფონდო: 3930

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 330k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
766143274G

766143274G

ნაწილი საფონდო: 3915

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 270k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
766143104G

766143104G

ნაწილი საფონდო: 3984

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 100k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
766143823G

766143823G

ნაწილი საფონდო: 3916

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 82k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი
766143154G

766143154G

ნაწილი საფონდო: 3919

სქემის ტიპი: Isolated, წინააღმდეგობა (ომი): 150k, ტოლერანტობა: ±2%, რეზისტორების რაოდენობა: 7,

სასურველი