ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904SAL

ნაწილი საფონდო: 22935

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 360mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102APAL

ნაწილი საფონდო: 12288

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110802SCL

ნაწილი საფონდო: 19206

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 220mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1103PBL

ნაწილი საფონდო: 17024

FET ტიპი: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40mA, 16mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114813SCL

ნაწილი საფონდო: 18848

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.26V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD111933PAL

ნაწილი საფონდო: 23126

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.35V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908PAL

ნაწილი საფონდო: 31426

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 820mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110900SAL

ნაწილი საფონდო: 21983

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102ASAL

ნაწილი საფონდო: 12301

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702APCL

ნაწილი საფონდო: 13531

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 180mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210804PCL

ნაწილი საფონდო: 24505

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1102BSAL

ნაწილი საფონდო: 18978

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702ASCL

ნაწილი საფონდო: 13769

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 180mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210802SCL

ნაწილი საფონდო: 24458

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114913SAL

ნაწილი საფონდო: 21986

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.26V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1108EPCL

ნაწილი საფონდო: 21736

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.01V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704SCL

ნაწილი საფონდო: 17106

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 380mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114804ASCL

ნაწილი საფონდო: 18441

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 380mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808PCL

ნაწილი საფონდო: 26016

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 820mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1110ESAL

ნაწილი საფონდო: 20569

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.01V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212914PAL

ნაწილი საფონდო: 25540

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700ASCL

ნაწილი საფონდო: 13763

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114913PAL

ნაწილი საფონდო: 27278

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 2.7V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.26V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908APAL

ნაწილი საფონდო: 25518

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 810mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808ASCL

ნაწილი საფონდო: 18900

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 810mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110804SCL

ნაწილი საფონდო: 19158

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 420mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210814PCL

ნაწილი საფონდო: 24429

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904APAL

ნაწილი საფონდო: 24412

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 380mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708APCL

ნაწილი საფონდო: 13520

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 780mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110814PCL

ნაწილი საფონდო: 24870

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.42V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1115SAL

ნაწილი საფონდო: 34315

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110800SCL

ნაწილი საფონდო: 28251

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110914PAL

ნაწილი საფონდო: 31443

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.4V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.42V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702SCL

ნაწილი საფონდო: 17093

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 180mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114935PAL

ნაწილი საფონდო: 27703

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.45V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110908SAL

ნაწილი საფონდო: 31474

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 820mV @ 1µA,

სასურველი

125

«
1
2
3
4
»