| ბეჭდვა | აღწერილობა |
| ნაწილის სტატუსი | Active |
|---|---|
| FET ტიპი | N and P-Channel Complementary |
| FET ფუნქცია | Standard |
| გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss) | 10.6V |
| მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C | - |
| Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs | 1800 Ohm @ 5V |
| Vgs (ე) (მაქს) @ Id | 1V @ 1µA |
| კარიბჭის დამუხტვა (Qg) (მაქს) @ Vgs | - |
| შეყვანის მოცულობა (Ciss) (მაქს) @ Vds | 3pF @ 5V |
| სიმძლავრე - მაქს | 500mW |
| ოპერაციული ტემპერატურა | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| სამონტაჟო ტიპი | Surface Mount |
| პაკეტი / კორპუსი | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი | 8-SOIC |
| Rohs სტატუსი | Rohs compliant |
|---|---|
| ტენიანობის მგრძნობელობის დონე (MSL) | Არ მიიღება |
| Lifecycle სტატუსი | მოძველებული / სიცოცხლის დასასრული |
| საფონდო კატეგორია | ხელმისაწვდომი საფონდო |
