ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

სახლი
ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212908APAL

ნაწილი საფონდო: 23468

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708ASCL

ნაწილი საფონდო: 13761

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 780mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704PCL

ნაწილი საფონდო: 15955

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 380mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212908PAL

ნაწილი საფონდო: 29354

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110802PCL

ნაწილი საფონდო: 19193

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 220mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212904SAL

ნაწილი საფონდო: 29355

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210804SCL

ნაწილი საფონდო: 24454

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114804SCL

ნაწილი საფონდო: 23911

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 360mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110808SCL

ნაწილი საფონდო: 25970

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 820mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1101APAL

ნაწილი საფონდო: 15312

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700PCL

ნაწილი საფონდო: 15956

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210800ASCL

ნაწილი საფონდო: 15057

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 25 Ohm, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 10mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1108ESCL

ნაწილი საფონდო: 21725

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.01V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1107SBL

ნაწილი საფონდო: 23425

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212902PAL

ნაწილი საფონდო: 29353

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808SCL

ნაწილი საფონდო: 26409

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212902SAL

ნაწილი საფონდო: 29339

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310704ASCL

ნაწილი საფონდო: 13718

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 380mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904PAL

ნაწილი საფონდო: 28442

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 360mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808ASCL

ნაწილი საფონდო: 18720

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310702PCL

ნაწილი საფონდო: 15966

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 180mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212914SAL

ნაწილი საფონდო: 25558

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1101BSAL

ნაწილი საფონდო: 18970

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 40mA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114904ASAL

ნაწილი საფონდო: 24434

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 3.6V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 380mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210814SCL

ნაწილი საფონდო: 24460

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD114935SAL

ნაწილი საფონდო: 22242

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.45V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD1107PBL

ნაწილი საფონდო: 23483

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808APCL

ნაწილი საფონდო: 18706

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD110902PAL

ნაწილი საფონდო: 21928

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 4.2V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 220mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212908ASAL

ნაწილი საფონდო: 23494

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310700SCL

ნაწილი საფონდო: 17155

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210802PCL

ნაწილი საფონდო: 24459

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD310708PCL

ნაწილი საფონდო: 16006

FET ტიპი: 4 P-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 8V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 780mV @ 1µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212904PAL

ნაწილი საფონდო: 29385

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD212900ASAL

ნაწილი საფონდო: 24423

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 Ohm, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 10mV @ 20µA,

სასურველი

Advanced Linear Devices Inc.

ALD210808PCL

ნაწილი საფონდო: 26482

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 20mV @ 10µA,

სასურველი

125

«
1
2
3
4
»