ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

ALD1105SBL

ნაწილი საფონდო: 23424

FET ტიპი: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1115PAL

ნაწილი საფონდო: 27731

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1102PAL

ნაწილი საფონდო: 18849

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 270 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 10µA,

ALD1117PAL

ნაწილი საფონდო: 27717

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD114835SCL

ნაწილი საფონდო: 17031

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Depletion Mode, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12mA, 3mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 540 Ohm @ 0V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.45V @ 1µA,

ALD1101ASAL

ნაწილი საფონდო: 12357

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 75 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 10µA,

ALD1116PAL

ნაწილი საფონდო: 27729

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1106PBL

ნაწილი საფონდო: 23410

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111933SAL

ნაწილი საფონდო: 23136

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.35V @ 1µA,

ALD1106SBL

ნაწილი საფონდო: 23429

FET ტიპი: 4 N-Channel, Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD1105PBL

ნაწილი საფონდო: 23483

FET ტიპი: 2 N and 2 P-Channel Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111910MAL

ნაწილი საფონდო: 33453

ALD1116SAL

ნაწილი საფონდო: 27725

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111910SAL

ნაწილი საფონდო: 38839

ALD111910PAL

ნაწილი საფონდო: 38839

ALD1115MAL

ნაწილი საფონდო: 31406

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 1800 Ohm @ 5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1µA,

ALD111933MAL

ნაწილი საფონდო: 33438

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Matched Pair, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 10.6V, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 500 Ohm @ 5.9V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3.35V @ 1µA,