დიოდები - ხიდის გამსწორებლები

VUB50-16PO1

ნაწილი საფონდო: 2129

დიოდის ტიპი: Three Phase (Braking), ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 56A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 45A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 200µA @ 1600V,

სურვილისამებრ

VUO18-12DT8

ნაწილი საფონდო: 4260

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 18A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.85V @ 55A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 300µA @ 1200V,

სურვილისამებრ

FBE22-06N1

ნაწილი საფონდო: 9428

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.13V @ 11A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 60µA @ 600V,

სურვილისამებრ

DMA150YA1600NA

ნაწილი საფონდო: 3681

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.21V @ 50A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1600V,

სურვილისამებრ

VUB160-16NO2

ნაწილი საფონდო: 825

დიოდის ტიპი: Three Phase (Braking), ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.6kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 188A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 2.7V @ 30A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 1600V,

სურვილისამებრ

VGB0124AY7A

ნაწილი საფონდო: 739

დიოდის ტიპი: Single Phase (Braking), ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.4kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A,

სურვილისამებრ

PB3508-E3/45

ნაწილი საფონდო: 25165

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სურვილისამებრ

DF04S-E3/77

ნაწილი საფონდო: 199839

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სურვილისამებრ

KBU8B-E4/51

ნაწილი საფონდო: 19392

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 100V,

სურვილისამებრ

VS-90MT140KPBF

ნაწილი საფონდო: 1249

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.4kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 90A,

სურვილისამებრ

GSIB2540-E3/45

ნაწილი საფონდო: 33145

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სურვილისამებრ

VS-GBPC3506A

ნაწილი საფონდო: 11457

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2mA @ 600V,

სურვილისამებრ

GBU4B-E3/51

ნაწილი საფონდო: 47916

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სურვილისამებრ

GBU4G-E3/45

ნაწილი საფონდო: 97126

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

GBU10D

ნაწილი საფონდო: 42394

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

KBU6D

ნაწილი საფონდო: 50592

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

GBPC1501W

ნაწილი საფონდო: 1405

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 100V,

სურვილისამებრ

ON Semiconductor

GBPC2502W

ნაწილი საფონდო: 25165

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

სურვილისამებრ

CBRLDSH2-40 TR13

ნაწილი საფონდო: 108966

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 40V,

სურვილისამებრ

CBR1F-D080

ნაწილი საფონდო: 8757

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სურვილისამებრ

CBRLD1-02 TR13

ნაწილი საფონდო: 128903

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

სურვილისამებრ

CBRSDSH2-100 TR13

ნაწილი საფონდო: 107097

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 50µA @ 100V,

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

KBP206GTB

ნაწილი საფონდო: 143658

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

GBJ2010TB

ნაწილი საფონდო: 62156

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 20A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

სურვილისამებრ

Comchip Technology

DF04S-G

ნაწილი საფონდო: 166483

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

სურვილისამებრ

Comchip Technology

GBPC5008-G

ნაწილი საფონდო: 20926

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სურვილისამებრ

KBPF307G B0G

ნაწილი საფონდო: 8775

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

სურვილისამებრ

TS25P05G-K D2G

ნაწილი საფონდო: 8851

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

სურვილისამებრ

KBP306G C2G

ნაწილი საფონდო: 8828

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 3A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

სურვილისამებრ

KBPF205G B0G

ნაწილი საფონდო: 8809

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

სურვილისამებრ

YBS2206G RAG

ნაწილი საფონდო: 9944

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 970mV @ 2.2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

სურვილისამებრ

KBP102G C2

ნაწილი საფონდო: 8763

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 100V,

სურვილისამებრ