დიოდები - ხიდის გამსწორებლები

GSIB2080N-M3/45

GSIB2080N-M3/45

ნაწილი საფონდო: 54433

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 20A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

GSIB15A60N-M3/45

GSIB15A60N-M3/45

ნაწილი საფონდო: 60141

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

GSIB1560N-M3/45

GSIB1560N-M3/45

ნაწილი საფონდო: 54481

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

GSIB6A60-E3/45

GSIB6A60-E3/45

ნაწილი საფონდო: 80174

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 3A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

DBLS152G C1G

DBLS152G C1G

ნაწილი საფონდო: 155

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 100V,

TS10KL60 D3G

TS10KL60 D3G

ნაწილი საფონდო: 80

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

D2SB20HD2G

D2SB20HD2G

ნაწილი საფონდო: 85

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

GBPC25005M T0G

GBPC25005M T0G

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 50V,

TS15PL05G C2G

TS15PL05G C2G

ნაწილი საფონდო: 91

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 900mV @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

DBL153GHC1G

DBL153GHC1G

ნაწილი საფონდო: 152

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 200V,

TS8P06G C2G

TS8P06G C2G

ნაწილი საფონდო: 96

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

GBU1004 D2G

GBU1004 D2G

ნაწილი საფონდო: 159

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 10A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

TS8P04GHD2G

TS8P04GHD2G

ნაწილი საფონდო: 164

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

TSS4B04GHC2G

TSS4B04GHC2G

ნაწილი საფონდო: 92

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 4A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 400V,

GBPC5006M T0G

GBPC5006M T0G

ნაწილი საფონდო: 87

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 600V,

DBL209G C1G

DBL209G C1G

ნაწილი საფონდო: 132

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.4kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 2µA @ 1400V,

TS8P07G C2G

TS8P07G C2G

ნაწილი საფონდო: 84

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 8A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 8A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 1000V,

TS10KL60HD3G

TS10KL60HD3G

ნაწილი საფონდო: 176

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 10A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

TS25P04G C2G

TS25P04G C2G

ნაწილი საფონდო: 65

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

D2SB80HD2G

D2SB80HD2G

ნაწილი საფონდო: 80

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

GBPC3502 T0G

GBPC3502 T0G

ნაწილი საფონდო: 143

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 17.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 200V,

TS25P04G D2G

TS25P04G D2G

ნაწილი საფონდო: 100

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 25A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

GBU605HD2G

GBU605HD2G

ნაწილი საფონდო: 141

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 600V,

GBL08 D2G

GBL08 D2G

ნაწილი საფონდო: 150

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 800V,

KMB22STR

KMB22STR

ნაწილი საფონდო: 100

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Schottky, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 550mV @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 100µA @ 20V,

M2535SB1200

M2535SB1200

ნაწილი საფონდო: 1405

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1.2kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A,

M50100TB1000

M50100TB1000

ნაწილი საფონდო: 794

დიოდის ტიპი: Three Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100A,

RABF210-13

RABF210-13

ნაწილი საფონდო: 109

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

MSB15MH-13

MSB15MH-13

ნაწილი საფონდო: 174091

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

MB10F-13

MB10F-13

ნაწილი საფონდო: 163606

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 1kV, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 800mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 800mA, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 5µA @ 1000V,

KBU2508-G

KBU2508-G

ნაწილი საფონდო: 62541

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3.6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

GBPC1504W-G

GBPC1504W-G

ნაწილი საფონდო: 36199

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 7.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 400V,

GBU408-G

GBU408-G

ნაწილი საფონდო: 79069

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 2A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 800V,

DB101-G

DB101-G

ნაწილი საფონდო: 193152

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 50V,

GBJ2502-04-G

GBJ2502-04-G

ნაწილი საფონდო: 120

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 25A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 200V,

GBU2502-G

GBU2502-G

ნაწილი საფონდო: 50187

დიოდის ტიპი: Single Phase, ტექნოლოგია: Standard, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4.2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 12.5A, მიმდინარე - უკუ გაჟონვა @ Vr: 10µA @ 50V,