თირისტორები - SCR | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 94

VS-ST230C12C1L

ნაწილი საფონდო: 1173

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1

ნაწილი საფონდო: 595

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1290A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TTS12-M3

ნაწილი საფონდო: 27457

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 35mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C0

ნაწილი საფონდო: 711

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 350A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 660A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFL0

ნაწილი საფონდო: 847

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1435A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA60

ნაწილი საფონდო: 5109

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 25A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 40A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA120M

ნაწილი საფონდო: 2667

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 100mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 50A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12C0L

ნაწილი საფონდო: 804

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.96V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 720A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1420A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08-M3

ნაწილი საფონდო: 42474

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12.5A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM0P

ნაწილი საფონდო: 929

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16M1L

ნაწილი საფონდო: 432

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.52V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 330A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 520A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08STRL-M3

ნაწილი საფონდო: 58873

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 60mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.4V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 10A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 16A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C04K0

ნაწილი საფონდო: 407

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.44V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2310A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4150A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C0L

ნაწილი საფონდო: 1219

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK0

ნაწილი საფონდო: 336

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 471A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12L0

ნაწილი საფონდო: 642

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.18V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 560A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1115A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S04PFN1

ნაწილი საფონდო: 926

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.15V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 85A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 135A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P1V

ნაწილი საფონდო: 829

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.75V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 200A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 314A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S12PFK1

ნაწილი საფონდო: 329

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.16V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 300A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 471A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0

ნაწილი საფონდო: 318

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.73V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3080A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K0L

ნაწილი საფონდო: 233

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.62V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1745A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3200A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-80RIA80PBF

ნაწილი საფონდო: 2343

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 120mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 80A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 125A,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C08C1

ნაწილი საფონდო: 1403

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 150mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.69V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 410A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 780A,

სურვილისამებრ

IXYS

CS20-25MOT1

ნაწილი საფონდო: 4116

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.5kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 250mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ

IXYS

CS30-14IO1

ნაწილი საფონდო: 13079

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 55mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.63V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 30A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 49A,

სურვილისამებრ

Littelfuse Inc.

S4X8ES1AP

ნაწილი საფონდო: 117932

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 5µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სურვილისამებრ

Littelfuse Inc.

S4006DRP

ნაწილი საფონდო: 161532

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 3.8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 6A,

სურვილისამებრ

Littelfuse Inc.

MCR106-8G

ნაწილი საფონდო: 114442

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2.55A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4A,

სურვილისამებრ

Littelfuse Inc.

S4X8ES2RP

ნაწილი საფონდო: 146951

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 50µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 510mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სურვილისამებრ

Littelfuse Inc.

S601E

ნაწილი საფონდო: 77906

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 10mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 640mA, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1A,

სურვილისამებრ

Littelfuse Inc.

MCR706AT4G

ნაწილი საფონდო: 195203

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 75µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 2.2V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1.6A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 4A,

სურვილისამებრ

Littelfuse Inc.

S8055WTP

ნაწილი საფონდო: 18874

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 40mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 35A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 55A,

სურვილისამებრ

Littelfuse Inc.

S6065JTP

ნაწილი საფონდო: 10002

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 50mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.8V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 41A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 65A,

სურვილისამებრ

Powerex Inc.

C702CP

ნაწილი საფონდო: 341

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 3kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.85V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1000A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1571A,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

TN1215-600H

ნაწილი საფონდო: 49211

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.3V, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 15mA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.6V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 8A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 12A,

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

MCR100-5 A1G

ნაწილი საფონდო: 255

ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 300V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 800mV, მიმდინარე - კარიბჭე (Igt) (მაქს): 200µA, ძაბვა - მდგომარეობაში (Vtm) (მაქს): 1.7V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800mA,

სურვილისამებრ