Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი

2SB0709A0L
Panasonic Electronic Components

2SB0709A0L

ნაწილი საფონდო: 5437

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

სურვილისამებრ
2SB143400A
Panasonic Electronic Components

2SB143400A

ნაწილი საფონდო: 5433

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

სურვილისამებრ
2SB1321A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1321A0A

ნაწილი საფონდო: 5460

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 85 @ 10mA, 10V,

სურვილისამებრ
2SB1322A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1322A0A

ნაწილი საფონდო: 5467

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V,

სურვილისამებრ
2SB1219ASL
Panasonic Electronic Components

2SB1219ASL

ნაწილი საფონდო: 5490

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

სურვილისამებრ
2N6724
ON Semiconductor

2N6724

ნაწილი საფონდო: 5450

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

სურვილისამებრ
2N6726
ON Semiconductor

2N6726

ნაწილი საფონდო: 5395

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ
2N6714
ON Semiconductor

2N6714

ნაწილი საფონდო: 6579

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V,

სურვილისამებრ
2N3014
ON Semiconductor

2N3014

ნაწილი საფონდო: 5441

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 300nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

სურვილისამებრ
2N3108
ON Semiconductor

2N3108

ნაწილი საფონდო: 5384

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V,

სურვილისამებრ
2N2906A
ON Semiconductor

2N2906A

ნაწილი საფონდო: 71797

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

სურვილისამებრ
2N2369
ON Semiconductor

2N2369

ნაწილი საფონდო: 5393

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N2221A
ON Semiconductor

2N2221A

ნაწილი საფონდო: 71785

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 800mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

სურვილისამებრ
2N5961
ON Semiconductor

2N5961

ნაწილი საფონდო: 5420

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 2nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5830
ON Semiconductor

2N5830

ნაწილი საფონდო: 5439

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5771
ON Semiconductor

2N5771

ნაწილი საფონდო: 5732

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

სურვილისამებრ
2N5772
ON Semiconductor

2N5772

ნაწილი საფონდო: 5387

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 300mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

სურვილისამებრ
2N5682
ON Semiconductor

2N5682

ნაწილი საფონდო: 5471

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V,

სურვილისამებრ
2N5550BU
ON Semiconductor

2N5550BU

ნაწილი საფონდო: 6606

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 140V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5401BU
ON Semiconductor

2N5401BU

ნაწილი საფონდო: 5419

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N5323
ON Semiconductor

2N5323

ნაწილი საფონდო: 5454

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.2V @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V,

სურვილისამებრ
2N5226
ON Semiconductor

2N5226

ნაწილი საფონდო: 5437

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

სურვილისამებრ
2N5224
ON Semiconductor

2N5224

ნაწილი საფონდო: 5407

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 12V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 350mV @ 3mA, 10mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N5088BU
ON Semiconductor

2N5088BU

ნაწილი საფონდო: 179781

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

სურვილისამებრ
2N4402BU
ON Semiconductor

2N4402BU

ნაწილი საფონდო: 5460

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

სურვილისამებრ
2N4400BU
ON Semiconductor

2N4400BU

ნაწილი საფონდო: 5455

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4125BU
ON Semiconductor

2N4125BU

ნაწილი საფონდო: 5391

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N4208
ON Semiconductor

2N4208

ნაწილი საფონდო: 5405

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 12V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 130mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

სურვილისამებრ
2N3962
ON Semiconductor

2N3962

ნაწილი საფონდო: 5405

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ
2N4123BU
ON Semiconductor

2N4123BU

ნაწილი საფონდო: 5451

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N3905BU
ON Semiconductor

2N3905BU

ნაწილი საფონდო: 5413

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
2N6727
ON Semiconductor

2N6727

ნაწილი საფონდო: 5472

ტრანზისტორის ტიპი: PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

სურვილისამებრ
2N6719
ON Semiconductor

2N6719

ნაწილი საფონდო: 6614

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 300V,

სურვილისამებრ
2N6725
ON Semiconductor

2N6725

ნაწილი საფონდო: 5448

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

სურვილისამებრ
2N6715
ON Semiconductor

2N6715

ნაწილი საფონდო: 5467

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

სურვილისამებრ
2N3904PH
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N3904PH

ნაწილი საფონდო: 5410

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ