ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - სინგლი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

2SD2257,KEHINQ(J

ნაწილი საფონდო: 6789

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

ნაწილი საფონდო: 6792

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 6778

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

ნაწილი საფონდო: 6989

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

ნაწილი საფონდო: 7064

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

ნაწილი საფონდო: 7008

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

ნაწილი საფონდო: 7045

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

ნაწილი საფონდო: 7037

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

ნაწილი საფონდო: 7039

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

ნაწილი საფონდო: 7003

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 100V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 1.5A, 3V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

ნაწილი საფონდო: 7001

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 375V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

ნაწილი საფონდო: 6717

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

ნაწილი საფონდო: 7021

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 800V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

ნაწილი საფონდო: 7019

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 375V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

ნაწილი საფონდო: 6714

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 7015

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 800V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

ნაწილი საფონდო: 6994

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

ნაწილი საფონდო: 6971

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

ნაწილი საფონდო: 6716

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

ნაწილი საფონდო: 7019

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

ნაწილი საფონდო: 6724

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

ნაწილი საფონდო: 6968

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

ნაწილი საფონდო: 7006

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 400V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 20µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

ნაწილი საფონდო: 7026

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 600V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 1µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ