რეზონერები

CSTCE8M00GH5L99-R0

CSTCE8M00GH5L99-R0

ნაწილი საფონდო: 177617

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.07%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTNE14M7V53C000R0

CSTNE14M7V53C000R0

ნაწილი საფონდო: 2005

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.746MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE20M0VH3C99-R0

CSTCE20M0VH3C99-R0

ნაწილი საფონდო: 138801

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.3%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTNE20M0V53W000R0

CSTNE20M0V53W000R0

ნაწილი საფონდო: 2029

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE16M0V13L99-R0

CSTCE16M0V13L99-R0

ნაწილი საფონდო: 182195

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE12M0G55-R0

CSTCE12M0G55-R0

ნაწილი საფონდო: 142155

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSBLA480KEC8-B0

CSBLA480KEC8-B0

ნაწილი საფონდო: 62

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 480kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±2kHz,

RO3112A

RO3112A

ნაწილი საფონდო: 1978

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.42MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

CSTNE12M0G520000R0

CSTNE12M0G520000R0

ნაწილი საფონდო: 2005

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

CSTNE18M4V530000R0

CSTNE18M4V530000R0

ნაწილი საფონდო: 1978

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE12M0G15L99-R0

CSTCE12M0G15L99-R0

ნაწილი საფონდო: 161828

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTCE16M0V51-R0

CSTCE16M0V51-R0

ნაწილი საფონდო: 143281

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

CSTCC3M58G53A-R0

CSTCC3M58G53A-R0

ნაწილი საფონდო: 100351

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.58MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCC2M00G56A-R0

CSTCC2M00G56A-R0

ნაწილი საფონდო: 1974

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

CSTCC3M84G53-R0

CSTCC3M84G53-R0

ნაწილი საფონდო: 1995

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.84MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTNE8M00G520000R0

CSTNE8M00G520000R0

ნაწილი საფონდო: 2049

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

ECS-HFR-24.00-A-TR

ECS-HFR-24.00-A-TR

ნაწილი საფონდო: 2055

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz,

ZTB640P

ZTB640P

ნაწილი საფონდო: 2058

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 640kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±2kHz,

ECS-SR2-10.00-B

ECS-SR2-10.00-B

ნაწილი საფონდო: 247

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PBRV4.00HR50Y000

PBRV4.00HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 138256

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PBRV6.00HR50Y000

PBRV6.00HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 116413

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PRQV10.00CR1510Y00L

PRQV10.00CR1510Y00L

ნაწილი საფონდო: 123995

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.15%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV20.00MR50Y000

PBRV20.00MR50Y000

ნაწილი საფონდო: 1988

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV5.00MR50Y000

PBRV5.00MR50Y000

ნაწილი საფონდო: 141941

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRC5.00GR50X000

PBRC5.00GR50X000

ნაწილი საფონდო: 1935

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

PBRC2.00HR10X000

PBRC2.00HR10X000

ნაწილი საფონდო: 155592

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PBRV4.91MR50Y000

PBRV4.91MR50Y000

ნაწილი საფონდო: 168438

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.91MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRV2.00HR50Y000

PBRV2.00HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 151337

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PRQV16.00CR5010Y000

PRQV16.00CR5010Y000

ნაწილი საფონდო: 171455

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PRQV12.00CR1510Y00L

PRQV12.00CR1510Y00L

ნაწილი საფონდო: 136229

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.15%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

EFO-H224MS12

EFO-H224MS12

ნაწილი საფონდო: 17816

ტიპი: SAW, სიხშირე: 224.5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -150ppm, +50ppm,

EFO-S8004E5

EFO-S8004E5

ნაწილი საფონდო: 2035

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

EFJ-C1605E5B

EFJ-C1605E5B

ნაწილი საფონდო: 2047

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

EFO-S3584E5

EFO-S3584E5

ნაწილი საფონდო: 2030

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.58MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CCR8.0MXC8WT

CCR8.0MXC8WT

ნაწილი საფონდო: 1889

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 18pF,

PT7C5009AN2-2WF

PT7C5009AN2-2WF

ნაწილი საფონდო: 1970

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 40MHz,