რეზონერები

B39431R0820H210

B39431R0820H210

ნაწილი საფონდო: 119985

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz,

B39431R0960H110

B39431R0960H110

ნაწილი საფონდო: 112066

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz,

B39431R0904U410

B39431R0904U410

ნაწილი საფონდო: 124197

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.42MHz,

B39321R0903H110

B39321R0903H110

ნაწილი საფონდო: 124194

ტიპი: SAW, სიხშირე: 315.5MHz,

B39431R0900U410

B39431R0900U410

ნაწილი საფონდო: 124234

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

B39321R0901H110

B39321R0901H110

ნაწილი საფონდო: 124239

ტიპი: SAW, სიხშირე: 315MHz,

B39431R0920H110

B39431R0920H110

ნაწილი საფონდო: 124186

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz,

B39351R802H210

B39351R802H210

ნაწილი საფონდო: 138263

ტიპი: SAW, სიხშირე: 345MHz,

B39321R0981U410

B39321R0981U410

ნაწილი საფონდო: 144867

ტიპი: SAW, სიხშირე: 315MHz,

B39401R0983H110

B39401R0983H110

ნაწილი საფონდო: 144862

B39431R0980U410

B39431R0980U410

ნაწილი საფონდო: 144865

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz,

EFO-BM1695E5

EFO-BM1695E5

ნაწილი საფონდო: 2079

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16.93MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 18pF,

EFO-P6004E5

EFO-P6004E5

ნაწილი საფონდო: 2070

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

EFO-MN1205A4

EFO-MN1205A4

ნაწილი საფონდო: 268

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

EFO-S4194E5

EFO-S4194E5

ნაწილი საფონდო: 2033

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

EFO-MC5004A4

EFO-MC5004A4

ნაწილი საფონდო: 2025

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor,

CCR30.0MXC7T

CCR30.0MXC7T

ნაწილი საფონდო: 1967

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

PBRV7.37HR10Y000

PBRV7.37HR10Y000

ნაწილი საფონდო: 259

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 7.37MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PRQC8.00CR5010X00L

PRQC8.00CR5010X00L

ნაწილი საფონდო: 198473

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV20.00HR50Y000

PBRV20.00HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 110968

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV8.00MR10Y000

PBRV8.00MR10Y000

ნაწილი საფონდო: 122637

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRV16.00HR70Y000

PBRV16.00HR70Y000

ნაწილი საფონდო: 2008

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.7%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV14.74MR50Y000

PBRV14.74MR50Y000

ნაწილი საფონდო: 1941

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.74MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

ZTB800J

ZTB800J

ნაწილი საფონდო: 1981

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 800kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

ZTA-6.51MT

ZTA-6.51MT

ნაწილი საფონდო: 216

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6.51MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

CSTNE16M0V510000R0

CSTNE16M0V510000R0

ნაწილი საფონდო: 2010

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

CSTNE12M5G550000R0

CSTNE12M5G550000R0

ნაწილი საფონდო: 2040

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12.5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTNE8M00G52Z000R0

CSTNE8M00G52Z000R0

ნაწილი საფონდო: 2027

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

RO3156A

RO3156A

ნაწილი საფონდო: 1936

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.95MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±200kHz,

RO3156E-1

RO3156E-1

ნაწილი საფონდო: 1918

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.95MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±150kHz,

CSTNE10M0G520000R0

CSTNE10M0G520000R0

ნაწილი საფონდო: 2021

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

CSTCE8M00G15C99-R0

CSTCE8M00G15C99-R0

ნაწილი საფონდო: 112931

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

RP1104

RP1104

ნაწილი საფონდო: 2009

ტიპი: SAW, სიხშირე: 824.25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.037ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100kHz,

CSTCE20M0V13L99-R0

CSTCE20M0V13L99-R0

ნაწილი საფონდო: 172239

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE12M0G15C99-R0

CSTCE12M0G15C99-R0

ნაწილი საფონდო: 166760

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

PT7C5009AN4-2DE

PT7C5009AN4-2DE

ნაწილი საფონდო: 1996

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 40MHz,