რეზონერები

EFO-MC8004A4

EFO-MC8004A4

ნაწილი საფონდო: 2075

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor,

EFJ-C2005E5B

EFJ-C2005E5B

ნაწილი საფონდო: 2097

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

EFO-P3584E5

EFO-P3584E5

ნაწილი საფონდო: 1994

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.58MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

EFO-MC3584A4

EFO-MC3584A4

ნაწილი საფონდო: 1996

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.58MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor,

EFO-N4194E5

EFO-N4194E5

ნაწილი საფონდო: 2028

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

PBRV4.19MR50Y000

PBRV4.19MR50Y000

ნაწილი საფონდო: 139575

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRV12.00HR70Y000

PBRV12.00HR70Y000

ნაწილი საფონდო: 175326

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.7%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV4.00MR50Y000

PBRV4.00MR50Y000

ნაწილი საფონდო: 138210

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRC4.19MR10X000

PBRC4.19MR10X000

ნაწილი საფონდო: 2001

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRV12.00HR50Y000

PBRV12.00HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 1955

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV6.00MR50Y000

PBRV6.00MR50Y000

ნაწილი საფონდო: 151606

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRC4.91MR10X000

PBRC4.91MR10X000

ნაწილი საფონდო: 1988

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.91MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRV4.00MR25Z00K

PBRV4.00MR25Z00K

ნაწილი საფონდო: 168348

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.25%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PRQV8.00CR5010Y000

PRQV8.00CR5010Y000

ნაწილი საფონდო: 183938

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

CSTCV24M0X51Q-R0

CSTCV24M0X51Q-R0

ნაწილი საფონდო: 214

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

CSTCE8M00GH5C99-R0

CSTCE8M00GH5C99-R0

ნაწილი საფონდო: 143688

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.7%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTCE10M0G55A-R0

CSTCE10M0G55A-R0

ნაწილი საფონდო: 193972

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSACW24M0X53-R0

CSACW24M0X53-R0

ნაწილი საფონდო: 192934

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 24MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

CSTCC2M00G53A-R0

CSTCC2M00G53A-R0

ნაწილი საფონდო: 188081

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.4%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE16M0V13C99-R0

CSTCE16M0V13C99-R0

ნაწილი საფონდო: 163362

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE16M0V53C-R0

CSTCE16M0V53C-R0

ნაწილი საფონდო: 180141

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.15%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCR6M24G55-R0

CSTCR6M24G55-R0

ნაწილი საფონდო: 1930

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6.24MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTNE10M0G52Z000R0

CSTNE10M0G52Z000R0

ნაწილი საფონდო: 1977

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

CSTCE8M00G15L99-R0

CSTCE8M00G15L99-R0

ნაწილი საფონდო: 119640

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTLS6M60G56-A0

CSTLS6M60G56-A0

ნაწილი საფონდო: 1920

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6.6MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

CSTCR4M00G15C99-R0

CSTCR4M00G15C99-R0

ნაწილი საფონდო: 182997

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.13%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 39pF,

CSTCE20M0V53-R0

CSTCE20M0V53-R0

ნაწილი საფონდო: 103212

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE8M00G52-R0

CSTCE8M00G52-R0

ნაწილი საფონდო: 134852

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PT7C5028M1-6GWF

PT7C5028M1-6GWF

ნაწილი საფონდო: 1954

PT7C5028C3-5GDE

PT7C5028C3-5GDE

ნაწილი საფონდო: 2009

ტიპი: Ceramic,

PT7C5028M1-5GWF

PT7C5028M1-5GWF

ნაწილი საფონდო: 2050

PT7C5009AN3-2DE

PT7C5009AN3-2DE

ნაწილი საფონდო: 2040

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 40MHz,

ZTB420P

ZTB420P

ნაწილი საფონდო: 112723

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 420kHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±2kHz,

ZTA-6.00MT

ZTA-6.00MT

ნაწილი საფონდო: 2060

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 6MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

ECS-CR1-18.00-A-TR

ECS-CR1-18.00-A-TR

ნაწილი საფონდო: 2032

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 18MHz,

CCR25.0MXC7T

CCR25.0MXC7T

ნაწილი საფონდო: 2022

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 25MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,