რეზონერები

PT7C5028C3-5GWF

PT7C5028C3-5GWF

ნაწილი საფონდო: 1962

ტიპი: Ceramic,

PT7C5028C3-6GDE

PT7C5028C3-6GDE

ნაწილი საფონდო: 2022

ტიპი: Ceramic,

PT7C5028C1-6GDE

PT7C5028C1-6GDE

ნაწილი საფონდო: 1974

ტიპი: Ceramic,

CSTCE12M0G52A-R0

CSTCE12M0G52A-R0

ნაწილი საფონდო: 139330

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.02%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

CSTNE14M7V530000R0

CSTNE14M7V530000R0

ნაწილი საფონდო: 2025

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 14.746MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

RO3102A

RO3102A

ნაწილი საფონდო: 1981

ტიპი: SAW, სიხშირე: 433.92MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 32ppb, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

CSTLS4M00G53Z-B0

CSTLS4M00G53Z-B0

ნაწილი საფონდო: 2036

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTCE16M0VH3L99-R0

CSTCE16M0VH3L99-R0

ნაწილი საფონდო: 125445

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.08%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.07%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTNE10M0G52A000R0

CSTNE10M0G52A000R0

ნაწილი საფონდო: 1988

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

CSTLS27M6X51-B0

CSTLS27M6X51-B0

ნაწილი საფონდო: 1986

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 27.6MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 5pF,

CSTCE9M09G55-R0

CSTCE9M09G55-R0

ნაწილი საფონდო: 1895

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 9.09MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

CSTCC3M30G53-R0

CSTCC3M30G53-R0

ნაწილი საფონდო: 189

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.3MHz, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

CSTLS10M0G56-A0

CSTLS10M0G56-A0

ნაწილი საფონდო: 165876

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: -0.4, +0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 47pF,

RO3164E-2

RO3164E-2

ნაწილი საფონდო: 1927

ტიპი: SAW, სიხშირე: 868.35MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±100kHz,

RO3104A

RO3104A

ნაწილი საფონდო: 266

ტიპი: SAW, სიხშირე: 303.825MHz, სიხშირის სტაბილურობა: 0.032ppm, სიხშირის ტოლერანტობა: ±75kHz,

CSTCE18M4V53-R0

CSTCE18M4V53-R0

ნაწილი საფონდო: 115179

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 18.432MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 15pF,

PBRV10.00HR50Y000

PBRV10.00HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 146262

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV4.19HR10Y000

PBRV4.19HR10Y000

ნაწილი საფონდო: 2011

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.19MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PBRV2.00HR10Y000

PBRV2.00HR10Y000

ნაწილი საფონდო: 2005

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PBRV2.45HR50Y000

PBRV2.45HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 1934

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 2.45MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PRQV20.00CR1510Y00L

PRQV20.00CR1510Y00L

ნაწილი საფონდო: 187048

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.15%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PRQV16.00CR5010Y00L

PRQV16.00CR5010Y00L

ნაწილი საფონდო: 140686

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV5.00HR50Y000

PBRV5.00HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 103809

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PBRV16.00HR50Y000

PBRV16.00HR50Y000

ნაწილი საფონდო: 125879

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.1%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PBRV4.91HR10Y000

PBRV4.91HR10Y000

ნაწილი საფონდო: 1943

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4.91MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.1%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,

PRQV10.00CR5010Y00L

PRQV10.00CR5010Y00L

ნაწილი საფონდო: 153614

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

PRQV12.00CR5010Y000

PRQV12.00CR5010Y000

ნაწილი საფონდო: 165887

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 12MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.5%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 10pF,

EFJ-C3005E5B

EFJ-C3005E5B

ნაწილი საფონდო: 2029

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 30MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 8pF,

EFO-MC1005A4

EFO-MC1005A4

ნაწილი საფონდო: 2021

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 10MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor,

EFO-P8004E5

EFO-P8004E5

ნაწილი საფონდო: 2083

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 8MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

EFO-S5004E5

EFO-S5004E5

ნაწილი საფონდო: 2069

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 5MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.2%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 33pF,

EFO-MN3584A4

EFO-MN3584A4

ნაწილი საფონდო: 2018

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 3.58MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%,

EFO-BM1605E5

EFO-BM1605E5

ნაწილი საფონდო: 2037

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 16MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 18pF,

EFO-MC4004A4

EFO-MC4004A4

ნაწილი საფონდო: 2048

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 4MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor,

EFO-BM2005E5

EFO-BM2005E5

ნაწილი საფონდო: 2086

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, სიხშირის სტაბილურობა: ±0.3%, სიხშირის ტოლერანტობა: ±0.5%, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 18pF,

ECS-SR3-20.00-B

ECS-SR3-20.00-B

ნაწილი საფონდო: 2059

ტიპი: Ceramic, სიხშირე: 20MHz, მახასიათებლები: Built in Capacitor, ტევადობა: 30pF,