დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

6A60G B0G

ნაწილი საფონდო: 168

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G R0G

ნაწილი საფონდო: 160

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G R0G

ნაწილი საფონდო: 125

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHB0G

ნაწილი საფონდო: 109

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHA0G

ნაწილი საფონდო: 171

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A05G A0G

ნაწილი საფონდო: 135

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A05G B0G

ნაწილი საფონდო: 108

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G A0G

ნაწილი საფონდო: 128

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A40GHA0G

ნაწილი საფონდო: 155

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A10G A0G

ნაწილი საფონდო: 152

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A10G R0G

ნაწილი საფონდო: 89

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G B0G

ნაწილი საფონდო: 132

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A100GHB0G

ნაწილი საფონდო: 112

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A60G A0G

ნაწილი საფონდო: 103

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A05GHB0G

ნაწილი საფონდო: 87

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHB0G

ნაწილი საფონდო: 161

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G R0G

ნაწილი საფონდო: 147

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A20GHR0G

ნაწილი საფონდო: 88

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A40G B0G

ნაწილი საფონდო: 113

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A100G A0G

ნაწილი საფონდო: 85

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A10GHR0G

ნაწილი საფონდო: 173

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A20G B0G

ნაწილი საფონდო: 130

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A05GHR0G

ნაწილი საფონდო: 93

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A100GHA0G

ნაწილი საფონდო: 104

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A80GHA0G

ნაწილი საფონდო: 84

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A80GHR0G

ნაწილი საფონდო: 167

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Taiwan Semiconductor Corporation

6A80G A0G

ნაწილი საფონდო: 117

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

60S6-TP

ნაწილი საფონდო: 178962

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

6A05-TP

ნაწილი საფონდო: 173757

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

60S10-TP

ნაწილი საფონდო: 111553

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

60S8-TP

ნაწილი საფონდო: 101486

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

60S2-TP

ნაწილი საფონდო: 109534

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

60S05-TP

ნაწილი საფონდო: 113691

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

6A8-TP

ნაწილი საფონდო: 199351

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 950mV @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Micro Commercial Co

60S4-TP

ნაწილი საფონდო: 169154

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 6A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 6A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

66PQ040

ნაწილი საფონდო: 22499

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ