დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 100

1N8032-GA

ნაწილი საფონდო: 411

დიოდის ტიპი: Silicon Carbide Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 650V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2.5A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 2.5A, სიჩქარე: No Recovery Time > 500mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 0ns,

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3765

ნაწილი საფონდო: 9603

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 700V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N2130A

ნაწილი საფონდო: 13757

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 150V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3213R

ნაწილი საფონდო: 9594

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 500V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N5834R

ნაწილი საფონდო: 5649

დიოდის ტიპი: Schottky, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 590mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3297A

ნაწილი საფონდო: 3391

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3768

ნაწილი საფონდო: 9899

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3211R

ნაწილი საფონდო: 13605

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N1188AR

ნაწილი საფონდო: 14724

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N1186R

ნაწილი საფონდო: 14976

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3293A

ნაწილი საფონდო: 3421

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 100A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 100A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N1187R

ნაწილი საფონდო: 11210

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3766

ნაწილი საფონდო: 9596

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N2133AR

ნაწილი საფონდო: 9580

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3671AR

ნაწილი საფონდო: 14489

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N5832

ნაწილი საფონდო: 5575

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 520mV @ 40A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N3208R

ნაწილი საფონდო: 15260

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 15A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

150K100A

ნაწილი საფონდო: 3461

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.33V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N1183R

ნაწილი საფონდო: 15035

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N1202AR

ნაწილი საფონდო: 15978

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N2133A

ნაწილი საფონდო: 9591

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 300V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N5828

ნაწილი საფონდო: 5643

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N4595

ნაწილი საფონდო: 3450

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N4592R

ნაწილი საფონდო: 3417

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

GeneSiC Semiconductor

1N1190R

ნაწილი საფონდო: 16753

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

1N5552US

ნაწილი საფონდო: 5469

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 9A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

1N4148UR-1E3

ნაწილი საფონდო: 134

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 100mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 20ns,

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

1N4001TA

ნაწილი საფონდო: 177323

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

120NQ035R-1

ნაწილი საფონდო: 2701

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 35V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 610mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

12TQ040STR

ნაწილი საფონდო: 130104

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 560mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

1N5406TA

ნაწილი საფონდო: 138561

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

12TQ100STR

ნაწილი საფონდო: 107331

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 15A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 840mV @ 15A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

1F7TA

ნაწილი საფონდო: 135435

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 500ns,

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

129SPC135A

ნაწილი საფონდო: 9447

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 135V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 870mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

SMC Diode Solutions

123NQ080-1

ნაწილი საფონდო: 2753

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 80V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 120A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 910mV @ 120A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ

Nexperia USA Inc.

1N4531,143

ნაწილი საფონდო: 172728

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 10mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სურვილისამებრ