Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

დიოდები - გამსწორებლები - ერთჯერადი

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

ნაწილი საფონდო: 168864

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

ნაწილი საფონდო: 2917

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 150A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 150A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

ნაწილი საფონდო: 4336

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 50A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 50A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

ნაწილი საფონდო: 12061

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სურვილისამებრ
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

ნაწილი საფონდო: 9557

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 12A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 200ns,

სურვილისამებრ
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

ნაწილი საფონდო: 14337

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 35A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 35A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

ნაწილი საფონდო: 7092

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

ნაწილი საფონდო: 15967

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 12A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 12A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

ნაწილი საფონდო: 10679

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

ნაწილი საფონდო: 11089

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 40A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 40A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

ნაწილი საფონდო: 7743

დიოდის ტიპი: Standard, Reverse Polarity, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 60A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 60A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

ნაწილი საფონდო: 5530

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 9A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ
1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

ნაწილი საფონდო: 35775

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სურვილისამებრ
1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

ნაწილი საფონდო: 6439

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 9A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ
1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

ნაწილი საფონდო: 6262

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 300mA (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 4ns,

სურვილისამებრ
1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

ნაწილი საფონდო: 5407

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1.2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.4V @ 1.2A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 45ns,

სურვილისამებრ
1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

ნაწილი საფონდო: 6351

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 875mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 25ns,

სურვილისამებრ
1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

ნაწილი საფონდო: 6290

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 9A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ
1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

ნაწილი საფონდო: 1677

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 2A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 37.7A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სურვილისამებრ
1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

ნაწილი საფონდო: 5411

დიოდის ტიპი: Standard, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 4A (DC), ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 200mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 3µs,

სურვილისამებრ
1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

ნაწილი საფონდო: 8604

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 400V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ
1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

ნაწილი საფონდო: 7627

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.1V @ 1A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

ნაწილი საფონდო: 6582

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სურვილისამებრ
1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

ნაწილი საფონდო: 24811

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 75V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 200mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 50mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, უკუ აღდგენის დრო (trr): 20ns,

სურვილისამებრ
1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

ნაწილი საფონდო: 9843

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 600V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.6V @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 250ns,

სურვილისამებრ
1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

ნაწილი საფონდო: 5319

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 100V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.5V @ 9A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 150ns,

სურვილისამებრ
1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

ნაწილი საფონდო: 6580

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 50V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 875mV @ 4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 30ns,

სურვილისამებრ
1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

ნაწილი საფონდო: 6400

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 1000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 9A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ
1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

ნაწილი საფონდო: 7979

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 70V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 33mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1V @ 15mA, სიჩქარე: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

სურვილისამებრ
1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

ნაწილი საფონდო: 10754

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 800V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.3V @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ
1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

ნაწილი საფონდო: 7965

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 200V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 1.2V @ 9A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2µs,

სურვილისამებრ
1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

ნაწილი საფონდო: 643

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 500mV @ 3A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

ნაწილი საფონდო: 90011

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 20V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 450mV @ 1A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

ნაწილი საფონდო: 90043

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 3A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 700mV @ 9.4A, სიჩქარე: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ
1N3647
Semtech Corporation

1N3647

ნაწილი საფონდო: 7939

დიოდის ტიპი: Standard, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 3000V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 600mA, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 5V @ 250mA, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), უკუ აღდგენის დრო (trr): 2.5µs,

სურვილისამებრ
1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

ნაწილი საფონდო: 2626

დიოდის ტიპი: Schottky, ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქს): 40V, მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io): 1A, ძაბვა - ფორვარდი (Vf) (მაქს) @ თუ: 750mV @ 3A, სიჩქარე: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

სურვილისამებრ