ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

FDC6561AN

ნაწილი საფონდო: 139456

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NVMFD5C680NLT1G

ნაწილი საფონდო: 9923

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), 26A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 13µA,

სურვილისამებრ

FDS8947A

ნაწილი საფონდო: 2987

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDML7610S

ნაწილი საფონდო: 100177

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A, 17A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTJD4152PT2G

ნაწილი საფონდო: 174011

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 880mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTMD6N02R2G

ნაწილი საფონდო: 152790

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.92A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NVMD6N04R2G

ნაწილი საფონდო: 160815

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 40V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NVMFD5C672NLT1G

ნაწილი საფონდო: 262

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), 49A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 11.9 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 30µA,

სურვილისამებრ

FDMD8260LET60

ნაწილი საფონდო: 41547

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NDS9952A

ნაწილი საფონდო: 160596

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.7A, 2.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.8V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDMS3622S

ნაწილი საფონდო: 105683

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17.5A, 34A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDMS3610S

ნაწილი საფონდო: 116056

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 17.5A, 30A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 17.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDC6302P

ნაწილი საფონდო: 184685

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 120mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

ECH8649-TL-H

ნაწილი საფონდო: 2942

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4A, 4.5V,

სურვილისამებრ

ECH8601M-TL-H-P

ნაწილი საფონდო: 2925

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 2.5V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 24V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.3V @ 1mA,

სურვილისამებრ

FDS9945

ნაწილი საფონდო: 120654

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

Central Semiconductor Corp

NTMFD4901NFT1G

ნაწილი საფონდო: 126984

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10.3A, 17.9A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

IXYS

GWM100-01X1-SLSAM

ნაწილი საფონდო: 2795

FET ტიპი: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

CTLDM7120-M832DS TR

ნაწილი საფონდო: 136453

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 1mA,

სურვილისამებრ

DMC3016LDV-7

ნაწილი საფონდო: 175686

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMN3016LDV-7

ნაწილი საფონდო: 157491

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMN63D8LDWQ-7

ნაწილი საფონდო: 161902

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 220mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMN2004DWK-7

ნაწილი საფონდო: 161664

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 540mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

Nexperia USA Inc.

PMDPB56XNEAX

ნაწილი საფონდო: 198127

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.25V @ 250µA,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

STS5DPF20L

ნაწილი საფონდო: 89710

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

STL20DNF06LAG

ნაწილი საფონდო: 155965

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

STMicroelectronics

STL66DN3LLH5

ნაწილი საფონდო: 78965

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 78.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

Rohm Semiconductor

SH8K3TB1

ნაწილი საფონდო: 55153

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

IRFH4253DTRPBF

ნაწილი საფონდო: 74468

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 64A, 145A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.1V @ 35µA,

სურვილისამებრ

SIZ350DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 220

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), 30A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 6.75 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI4590DY-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 189788

FET ტიპი: N and P-Channel, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.4A, 2.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI3900DV-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 169893

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ