ტრანზისტორები - FET, MOSFET - მასივები

FDD3510H

ნაწილი საფონდო: 147680

FET ტიპი: N and P-Channel, Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 80V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, 2.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDS6900AS

ნაწილი საფონდო: 159056

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.9A, 8.2A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDS6898A

ნაწილი საფონდო: 128074

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDMB3900AN

ნაწილი საფონდო: 118545

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDS6875

ნაწილი საფონდო: 133470

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

MCH6663-TL-W

ნაწილი საფონდო: 154760

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 4V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.8A, 1.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.6V @ 1mA,

სურვილისამებრ

FDS6912A

ნაწილი საფონდო: 171009

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

FDMD86100

ნაწილი საფონდო: 131

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 100V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

NTLLD4951NFTWG

ნაწილი საფონდო: 61646

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 6.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

US6K2TR

ნაწილი საფონდო: 124293

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

EM6K33T2R

ნაწილი საფონდო: 182538

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, 1.2V Drive, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 50V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 1mA,

სურვილისამებრ

SP8M4FRATB

ნაწილი საფონდო: 91

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 7A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

SP8K31FRATB

ნაწილი საფონდო: 99

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 1mA,

სურვილისამებრ

DMN6070SSD-13

ნაწილი საფონდო: 104685

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 3.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMTH6016LSD-13

ნაწილი საფონდო: 190248

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMN2028UFDH-7

ნაწილი საფონდო: 132521

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 6.8A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMG4822SSD-13

ნაწილი საფონდო: 199433

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMG6898LSD-13

ნაწილი საფონდო: 109166

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 9.5A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMC6040SSD-13

ნაწილი საფონდო: 146822

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 5.1A, 3.1A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

ZXMHC6A07N8TC

ნაწილი საფონდო: 158542

FET ტიპი: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 1.39A, 1.28A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMG6301UDW-7

ნაწილი საფონდო: 168789

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 25V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 240mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMC3016LDV-13

ნაწილი საფონდო: 172087

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.4V @ 250µA,

სურვილისამებრ

DMC2990UDJQ-7

ნაწილი საფონდო: 147861

FET ტიპი: N and P-Channel Complementary, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), 310mA (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

Monolithic Power Systems Inc.

DMNH6042SSD-13

ნაწილი საფონდო: 182552

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 60V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 16.7A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

Microchip Technology

TC6321T-V/9U

ნაწილი საფონდო: 64633

FET ტიპი: N and P-Channel, FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 200V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

სურვილისამებრ

LN60A01ES-LF

ნაწილი საფონდო: 77637

FET ტიპი: 3 N-Channel, Common Gate, FET ფუნქცია: Standard, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 600V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 80mA, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1.2V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI7923DN-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 101885

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI5902BDC-T1-E3

ნაწილი საფონდო: 125159

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI5908DC-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 118967

FET ტიპი: 2 N-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 20V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 1V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SIZ904DT-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 140725

FET ტიპი: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 2.5V @ 250µA,

სურვილისამებრ

SI7923DN-T1-GE3

ნაწილი საფონდო: 101842

FET ტიპი: 2 P-Channel (Dual), FET ფუნქცია: Logic Level Gate, გადინება წყაროს ძაბვაზე (Vdss): 30V, მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds ჩართული (მაქს) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (ე) (მაქს) @ Id: 3V @ 250µA,

სურვილისამებრ