დიოდები - RF

BA782S-HE3-18

BA782S-HE3-18

ნაწილი საფონდო: 6970

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782S-G3-18

BA782S-G3-18

ნაწილი საფონდო: 6887

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782-HG3-18

BA782-HG3-18

ნაწილი საფონდო: 4768

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782S-E3-18

BA782S-E3-18

ნაწილი საფონდო: 6951

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782-HE3-18

BA782-HE3-18

ნაწილი საფონდო: 6951

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782-G3-18

BA782-G3-18

ნაწილი საფონდო: 6941

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA782-E3-18

BA782-E3-18

ნაწილი საფონდო: 6934

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 700 mOhm @ 3mA, 1GHz,

BA683-GS18

BA683-GS18

ნაწილი საფონდო: 6945

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 100MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 900 mOhm @ 10mA, 200MHz,

BA683-M-18

BA683-M-18

ნაწილი საფონდო: 6932

BA682-GS18

BA682-GS18

ნაწილი საფონდო: 6956

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 100MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 500 mOhm @ 10mA, 200MHz,

BA682-M-18

BA682-M-18

ნაწილი საფონდო: 4696

BA282-TR

BA282-TR

ნაწილი საფონდო: 4720

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 100MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 500 mOhm @ 10mA, 200MHz,

BA283-TAP

BA283-TAP

ნაწილი საფონდო: 4690

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.2pF @ 3V, 100MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 900 mOhm @ 10mA, 200MHz,

BA282-TAP

BA282-TAP

ნაწილი საფონდო: 6922

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.25pF @ 3V, 100MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 500 mOhm @ 10mA, 200MHz,

BAT6806WH6327XTSA1

BAT6806WH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 6923

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Common Anode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 8V, მიმდინარე - მაქს: 130mA, მოცულობა @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 10 Ohm @ 5mA, 10kHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 150mW,

BAT6207WH6327XTSA1

BAT6207WH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 6969

დიოდის ტიპი: Schottky - 2 Independent, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 40V, მიმდინარე - მაქს: 20mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

BAR161E6327HTSA1

BAR161E6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 6971

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Common Anode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 100V, მიმდინარე - მაქს: 140mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.5pF @ 50V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 12 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

BAT6203WE6327HTSA1

BAT6203WE6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 6905

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 40V, მიმდინარე - მაქს: 20mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

BAR6302WH6327XTSA1

BAR6302WH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 6944

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.3pF @ 5V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

BAR9002LRHE6327XTSA1

BAR9002LRHE6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 6959

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 80V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 800 mOhm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

BA892H6327XTSA1

BA892H6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 6901

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz,

BA595E6327HTSA1

BA595E6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 155973

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 7 Ohm @ 10mA, 100MHz,

BAT1505WH6327XTSA1

BAT1505WH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 6963

დიოდის ტიპი: Schottky - 1 Pair Common Cathode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 4V, მიმდინარე - მაქს: 110mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

BAR66E6433HTMA1

BAR66E6433HTMA1

ნაწილი საფონდო: 6905

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 150V, მიმდინარე - მაქს: 200mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.6pF @ 35V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1.8 Ohm @ 5mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

BAR 64-05W H6433

BAR 64-05W H6433

ნაწილი საფონდო: 6871

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Common Cathode, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 150V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.35pF @ 20V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

BA895H6327XTSA1

BA895H6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 6914

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 50mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.6pF @ 10V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 7 Ohm @ 10mA, 100MHz,

BAR5003WE6327HTSA1

BAR5003WE6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 6920

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.4pF @ 5V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

BA89202VH6433XTMA1

BA89202VH6433XTMA1

ნაწილი საფონდო: 6935

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz,

BA89202VH6327XTSA1

BA89202VH6327XTSA1

ნაწილი საფონდო: 117081

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz,

BA892H6127XTSA1

BA892H6127XTSA1

ნაწილი საფონდო: 6903

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz,

BA892H6433XTMA1

BA892H6433XTMA1

ნაწილი საფონდო: 6938

დიოდის ტიპი: Standard - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 35V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 1.1pF @ 3V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 500 mOhm @ 10mA, 100MHz,

BAT 63-02V E6327

BAT 63-02V E6327

ნაწილი საფონდო: 6943

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 3V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.85pF @ 0.2V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,

BAT 15-02LS E6327

BAT 15-02LS E6327

ნაწილი საფონდო: 6863

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 4V, მიმდინარე - მაქს: 110mA,

BAR6704E6327HTSA1

BAR6704E6327HTSA1

ნაწილი საფონდო: 6874

დიოდის ტიპი: PIN - 1 Pair Series Connection, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 150V, მიმდინარე - მაქს: 200mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 1 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

BAR 50-02V E6768

BAR 50-02V E6768

ნაწილი საფონდო: 6943

დიოდის ტიპი: PIN - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 50V, მიმდინარე - მაქს: 100mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.4pF @ 5V, 1MHz, წინააღმდეგობა @ თუ, ფ: 4.5 Ohm @ 10mA, 100MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 250mW,

BAT 62-02W E6327

BAT 62-02W E6327

ნაწილი საფონდო: 6907

დიოდის ტიპი: Schottky - Single, ძაბვა - პიკი უკუ (მაქსიმალური): 40V, მიმდინარე - მაქს: 20mA, მოცულობა @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz, ენერგიის გაფრქვევა (მაქს): 100mW,