თირისტორები - SCRs - მოდულები | დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები | 75

TT250N12KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 9917

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 250A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

TD150N24KOFHPSA1

ნაწილი საფონდო: 9913

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 223A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 350A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

T1901N80TOHXPSA1

ნაწილი საფონდო: 327

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2930A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

TDB6HK360N16PBOSA1

ნაწილი საფონდო: 351

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 210A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 360A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

T580N04TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 9841

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 568A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 800A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.4V,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

T680N12TOFXPSA1

ნაწილი საფონდო: 9858

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 681A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1250A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.2V,

სურვილისამებრ

Infineon Technologies

T2001N36TOFVTXPSA1

ნაწილი საფონდო: 302

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 3.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 2890A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 3200A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN26/04

ნაწილი საფონდო: 2210

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 27A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV91/08

ნაწილი საფონდო: 1776

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 95A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 150A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH71/12

ნაწილი საფონდო: 1857

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 75A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU41/14

ნაწილი საფონდო: 1961

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 45A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 70A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT162/04PBF

ნაწილი საფონდო: 1121

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 160A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 355A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV105/14

ნაწილი საფონდო: 1717

სტრუქტურა: Common Anode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 105A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 165A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCC95-14IO8B

ნაწილი საფონდო: 2116

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 116A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 180A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCD26-16IO1B

ნაწილი საფონდო: 3376

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 32A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 50A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

სურვილისამებრ

IXYS

VVZ40-14IO1

ნაწილი საფონდო: 1866

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 34A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCC44-12IO1B

ნაწილი საფონდო: 2985

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 51A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 80A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCC162-12IO1

ნაწილი საფონდო: 1187

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 190A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

IXYS

VVZB120-16IOX

ნაწილი საფონდო: 926

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

სურვილისამებრ

IXYS

VHF36-14IO5

ნაწილი საფონდო: 2656

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 36A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCO600-18IO1

ნაწილი საფონდო: 538

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.8kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 600A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 928A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCK500-16IO1

ნაწილი საფონდო: 9861

სტრუქტურა: Common Cathode - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 545A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 1294A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCC161-22IO1

ნაწილი საფონდო: 588

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 2.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 165A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სურვილისამებრ

IXYS

VVZB170-16IOXT

ნაწილი საფონდო: 935

სტრუქტურა: Bridge, 3-Phase - SCRs/Diodes - IGBT with Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 3 SCRs, 3 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1.5V,

სურვილისამებრ

IXYS

VHFD29-08IO1

ნაწილი საფონდო: 2597

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 4 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 28A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 1V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCMA260P1600YA

ნაწილი საფონდო: 782

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 260A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 408A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2V,

სურვილისამებრ

IXYS

MCD162-16IO1

ნაწილი საფონდო: 1239

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 190A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 300A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Microsemi Corporation

MSTC60-12

ნაწილი საფონდო: 3036

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 60A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ

Powerex Inc.

C784DP

ნაწილი საფონდო: 208

სტრუქტურა: Single, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 4kV, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (AV)) (მაქსიმალური): 1650A, მიმდინარე - სახელმწიფოზე (ეს (RMS)) (მაქსიმალური): 2590A, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 4.5V,

სურვილისამებრ

Sensata-Crydom

F1892HD1600

ნაწილი საფონდო: 587

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.6kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ

Sensata-Crydom

M505032

ნაწილი საფონდო: 856

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 4 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 600V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ

Sensata-Crydom

L313

ნაწილი საფონდო: 1189

სტრუქტურა: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, 2 Diodes, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 800V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 2.5V,

სურვილისამებრ

Sensata-Crydom

F1827CAH1200

ნაწილი საფონდო: 694

სტრუქტურა: Common Anode - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ

Sensata-Crydom

F1842SDK400

ნაწილი საფონდო: 1088

სტრუქტურა: Series Connection - All SCRs, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 2 SCRs, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 400V, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ

Sensata-Crydom

F1857HD1200

ნაწილი საფონდო: 683

სტრუქტურა: Series Connection - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.2kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ

Sensata-Crydom

F1842CCH1400

ნაწილი საფონდო: 950

სტრუქტურა: Common Cathode - SCR/Diode, SCR– ების, დიოდების რაოდენობა: 1 SCR, 1 Diode, ძაბვა - გამორთული მდგომარეობა: 1.4kV, ძაბვა - კარიბჭე (Vgt) (მაქს): 3V,

სურვილისამებრ