ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები

DMC506010R

ნაწილი საფონდო: 127318

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMG204B00R

ნაწილი საფონდო: 145445

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, 10V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 8mA, 400mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V / 130 @ 500mA, 2V,

სურვილისამებრ

DMC904010R

ნაწილი საფონდო: 180758

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

სურვილისამებრ

DMG204020R

ნაწილი საფონდო: 148738

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

სურვილისამებრ

PBSS5260PAPSX

ნაწილი საფონდო: 190970

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 110 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ

PBSS5220PAPSX

ნაწილი საფონდო: 146612

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ

PBSS4160PAN,115

ნაწილი საფონდო: 111263

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

სურვილისამებრ

NMB2227AH

ნაწილი საფონდო: 179406

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სურვილისამებრ

ZXTDB2M832TA

ნაწილი საფონდო: 4396

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4.5A, 3.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 25nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

სურვილისამებრ

ZDT649TC

ნაწილი საფონდო: 4459

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 25V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ

MMDT2907A-7

ნაწილი საფონდო: 4520

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

სურვილისამებრ

ULN2003AD16-U

ნაწილი საფონდო: 122050

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA,

სურვილისამებრ

ULN2003AS16-13

ნაწილი საფონდო: 190957

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

MMDT5451-7

ნაწილი საფონდო: 4477

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, 150V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

HN1C01FYTE85LF

ნაწილი საფონდო: 111105

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

ნაწილი საფონდო: 4492

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

სურვილისამებრ

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

ნაწილი საფონდო: 4430

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

სურვილისამებრ

MCH6544-TL-E

ნაწილი საფონდო: 111253

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 100mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 800 @ 10mA, 2V,

სურვილისამებრ

MCH6203-TL-E

ნაწილი საფონდო: 197865

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სურვილისამებრ

NSV60101DMTWTBG

ნაწილი საფონდო: 149959

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 180mV @ 100mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V,

სურვილისამებრ

MBT3946DW1T1

ნაწილი საფონდო: 4434

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ

NST3904DXV6T5G

ნაწილი საფონდო: 114544

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ

CPH5517-TL-E

ნაწილი საფონდო: 170389

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP (Common Base), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 430mV @ 10mA, 500mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

სურვილისამებრ

NCV1413BDR2G

ნაწილი საფონდო: 107834

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

სურვილისამებრ

ULN2803ANG4

ნაწილი საფონდო: 4474

ტრანზისტორის ტიპი: 8 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

სურვილისამებრ

ULN2003AIDR

ნაწილი საფონდო: 179638

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA,

სურვილისამებრ

ULN2003AIN

ნაწილი საფონდო: 86197

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50µA,

სურვილისამებრ

ULN2803ADWG4

ნაწილი საფონდო: 46125

ტრანზისტორის ტიპი: 8 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

სურვილისამებრ