Menu
საქართველოსაქართველო
Rfqs / შეკვეთა
0Rfqs / შეკვეთა

ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები

MAT01GH
Analog Devices Inc.

MAT01GH

ნაწილი საფონდო: 3534

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual) Matched Pair, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 25mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 400nA,

სურვილისამებრ
SSM2212CPZ-RL
Analog Devices Inc.

SSM2212CPZ-RL

ნაწილი საფონდო: 17521

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 15V,

სურვილისამებრ
MAT14ARZ-RL
Analog Devices Inc.

MAT14ARZ-RL

ნაწილი საფონდო: 11095

ტრანზისტორის ტიპი: 4 NPN (Quad) Matched Pairs, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 30mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 60mV @ 100µA, 1mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 3nA,

სურვილისამებრ
MAT03EHZ
Analog Devices Inc.

MAT03EHZ

ნაწილი საფონდო: 4479

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 36V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 100mV @ 100µA, 1mA,

სურვილისამებრ
UMY1NTR
Rohm Semiconductor

UMY1NTR

ნაწილი საფონდო: 105089

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP (Emitter Coupled), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სურვილისამებრ
UMB2NFHATN
Rohm Semiconductor

UMB2NFHATN

ნაწილი საფონდო: 120

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ
UMB3NFHATN
Rohm Semiconductor

UMB3NFHATN

ნაწილი საფონდო: 123

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP Pre-Biased (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ
PMBT3946VPN,115
Nexperia USA Inc.

PMBT3946VPN,115

ნაწილი საფონდო: 148127

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
PMP4501V,115
Nexperia USA Inc.

PMP4501V,115

ნაწილი საფონდო: 117231

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual) Matched Pair, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ
PEMZ1,115
Nexperia USA Inc.

PEMZ1,115

ნაწილი საფონდო: 155883

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სურვილისამებრ
PMBT3904VS,115
Nexperia USA Inc.

PMBT3904VS,115

ნაწილი საფონდო: 198170

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
PEMX1,315
Nexperia USA Inc.

PEMX1,315

ნაწილი საფონდო: 141674

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სურვილისამებრ
PMP4501QASZ
Nexperia USA Inc.

PMP4501QASZ

ნაწილი საფონდო: 97

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V,

სურვილისამებრ
PBSS5130PAP,115
Nexperia USA Inc.

PBSS5130PAP,115

ნაწილი საფონდო: 169332

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V,

სურვილისამებრ
SBC846BPDW1T2G
ON Semiconductor

SBC846BPDW1T2G

ნაწილი საფონდო: 175944

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ
NST3946DP6T5G
ON Semiconductor

NST3946DP6T5G

ნაწილი საფონდო: 152851

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
CPH5505-TL-E
ON Semiconductor

CPH5505-TL-E

ნაწილი საფონდო: 166597

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 230mV @ 30mA, 1.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

სურვილისამებრ
NSVBC848CDW1T1G
ON Semiconductor

NSVBC848CDW1T1G

ნაწილი საფონდო: 125941

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 30V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ
NSV40300MDR2G
ON Semiconductor

NSV40300MDR2G

ნაწილი საფონდო: 148007

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 3A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 170mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V,

სურვილისამებრ
EMT1DXV6T1
ON Semiconductor

EMT1DXV6T1

ნაწილი საფონდო: 4480

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 500nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

სურვილისამებრ
NST847BDP6T5G
ON Semiconductor

NST847BDP6T5G

ნაწილი საფონდო: 165488

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ
NST65010MW6T1G
ON Semiconductor

NST65010MW6T1G

ნაწილი საფონდო: 196459

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 65V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ
NST847BPDP6T5G
ON Semiconductor

NST847BPDP6T5G

ნაწილი საფონდო: 170917

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA / 700mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ
SBC847BPDW1T1G
ON Semiconductor

SBC847BPDW1T1G

ნაწილი საფონდო: 147868

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 45V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 15nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

სურვილისამებრ
FMB5551
ON Semiconductor

FMB5551

ნაწილი საფონდო: 161037

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 600mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 160V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ
ZXTDAM832TA
Diodes Incorporated

ZXTDAM832TA

ნაწილი საფონდო: 4629

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4.5A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 4.5A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 25nA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 3A, 2V,

სურვილისამებრ
ZDT705TC
Diodes Incorporated

ZDT705TC

ნაწილი საფონდო: 4410

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP Darlington (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 1A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 120V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

სურვილისამებრ
ZXTP56020FDBQ-7
Diodes Incorporated

ZXTP56020FDBQ-7

ნაწილი საფონდო: 9974

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 2A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 20V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 390mV @ 200mA, 2A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V,

სურვილისამებრ
SG2003J-JAN
Microsemi Corporation

SG2003J-JAN

ნაწილი საფონდო: 4491

ტრანზისტორის ტიპი: 7 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

სურვილისამებრ
SG2803J-883B
Microsemi Corporation

SG2803J-883B

ნაწილი საფონდო: 4488

ტრანზისტორის ტიპი: 8 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

სურვილისამებრ
SMA6010
Sanken

SMA6010

ნაწილი საფონდო: 14708

ტრანზისტორის ტიპი: 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 4A, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 60V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100µA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 4V,

სურვილისამებრ
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

ნაწილი საფონდო: 4365

ტრანზისტორის ტიპი: NPN, PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

სურვილისამებრ
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

ნაწილი საფონდო: 167758

ტრანზისტორის ტიპი: 2 PNP (Dual), მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 150mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 100nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

სურვილისამებრ
MPQ6700
Central Semiconductor Corp

MPQ6700

ნაწილი საფონდო: 15034

ტრანზისტორის ტიპი: 2 NPN, 2 PNP, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 200mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 50nA (ICBO), DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V,

სურვილისამებრ
CA3083
Renesas Electronics America Inc.

CA3083

ნაწილი საფონდო: 4402

ტრანზისტორის ტიპი: 5 NPN, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 15V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 700mV @ 5mA, 50mA, მიმდინარე - კოლექტორის ამოჭრა (მაქსიმალური): 10µA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 3V,

სურვილისამებრ
ULN2804A
STMicroelectronics

ULN2804A

ნაწილი საფონდო: 67807

ტრანზისტორის ტიპი: 8 NPN Darlington, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, Vce Saturation (მაქს) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

სურვილისამებრ