ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა

DTC114EEBTL

ნაწილი საფონდო: 130686

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTC114TUBTL

ნაწილი საფონდო: 185827

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTA114YEBTL

ნაწილი საფონდო: 131557

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTC115GKAT146

ნაწილი საფონდო: 103060

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTA115GKAT146

ნაწილი საფონდო: 130570

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTC015TEBTL

ნაწილი საფონდო: 192625

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DTC143EEBTL

ნაწილი საფონდო: 116768

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTC143ZUBTL

ნაწილი საფონდო: 140523

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTA123JUBTL

ნაწილი საფონდო: 118461

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTB143ECT216

ნაწილი საფონდო: 108871

სურვილისამებრ

DTC143TEBTL

ნაწილი საფონდო: 104057

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTA114EEBTL

ნაწილი საფონდო: 199791

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 50mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

DTD123YCT116

ნაწილი საფონდო: 163217

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 500mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V,

სურვილისამებრ

MMUN2115LT1G

ნაწილი საფონდო: 135405

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

FJY4011R

ნაწილი საფონდო: 1891

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

MMUN2136LT1G

ნაწილი საფონდო: 196001

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

MUN2214T1G

ნაწილი საფონდო: 101929

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

MMUN2233LT1G

ნაწილი საფონდო: 137186

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

MUN5231T1G

ნაწილი საფონდო: 181946

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 8 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DTA114YET1G

ნაწილი საფონდო: 187363

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

SMMUN2111LT1G

ნაწილი საფონდო: 192773

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

DTC143TET1G

ნაწილი საფონდო: 127293

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

FJN4309RTA

ნაწილი საფონდო: 193981

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 40V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

სურვილისამებრ

MMUN2217LT1G

ნაწილი საფონდო: 119031

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 4.7 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

სურვილისამებრ

PDTA114YUF

ნაწილი საფონდო: 172898

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTC123EU,115

ნაწილი საფონდო: 196761

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 2.2 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTA114ET,215

ნაწილი საფონდო: 132687

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 10 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 10 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTA113EU,115

ნაწილი საფონდო: 167465

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 1 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 1 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 30 @ 40mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTC115ET,215

ნაწილი საფონდო: 136920

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 20mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 100 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 100 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTA124ET,235

ნაწილი საფონდო: 123136

ტრანზისტორის ტიპი: PNP - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 22 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 22 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTC123JT,235

ნაწილი საფონდო: 198821

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 2.2 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

სურვილისამებრ

PDTC144EU,135

ნაწილი საფონდო: 151492

ტრანზისტორის ტიპი: NPN - Pre-Biased, მიმდინარე - კოლექტორი (Ic) (მაქს): 100mA, ძაბვა - კოლექტორის emitter ავარია (მაქს): 50V, რეზისტორი - ბაზა (R1): 47 kOhms, რეზისტორი - ემიტერული ბაზა (R2): 47 kOhms, DC მიმდინარე მოგება (hFE) (წთ) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

სურვილისამებრ